Тонкопленочные наноструктуры на основе оксида магния MgO
Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.
Подобные документы
Разработка методов получения конусовидных наноструктур методом матричного синтеза, исследование их структуры. Контактный слой и осаждение в поры матрицы. Использование различных растворов для травления полимерной пленки с применением этилового спирта.
дипломная работа, добавлен 07.12.2019Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011Характеристика понятия, свойств инверторов. Вольтамперные характеристики инвертора. Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Изучение технологий, используемых в создание инвертора на основе GaAs.
курсовая работа, добавлен 08.01.2018Создание прецизионных резисторов и конденсаторов. Гибридная технология создания интегральных микросхем, работающих в СВЧ диапазоне. Характеристики подложек и резисторов. Параметры материалов, применяемых для изготовления тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Технологический маршрут создания инвертора на основе двух полевых транзисторов с барьером Шоттки. Рассмотрение технологий, используемых в создании инвертора на основе GaAs. Химическое осаждение из газовой фазы при пониженном давлении. Ионная имплантация.
курсовая работа, добавлен 05.06.2017Конструкция и расчет тонкопленочных конденсаторов. Резонаторы и фильтры на основе МПЛ. Логические ИМС и базовые ячейки. Максимально допустимая относительная погрешность воспроизведения площади конденсатора. Диодное включение интегрального транзистора.
контрольная работа, добавлен 18.05.2013Технология получения керамики. Требования к подложкам микросхем. Конструктивно-технологические особенности толстопленочных интегральных микросхем. Схема процесса изготовления плат тонкопленочных гибридных интегральных схем. Сущность скрайбирования.
курсовая работа, добавлен 03.12.2010Основная классификация полупроводников и структур на их основе. Улучшение параметров транзисторов с помощью явления сверхинжекции. Проведение исследования гетеропереходных биполярных транзисторов на основе GaAs. Характеристика оптоэлектронных приборов.
презентация, добавлен 20.01.2022Резонатор, состоящий из акустоэлектрического преобразователя на основе пьезоэлектрической пленки оксида цинка и Брэгговского акустического отражателя на основе 5 пар слоев пленок молибдена и алюминия. Параметры элементов электрической схемы резонатора.
статья, добавлен 02.02.2019Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019Описание и работа установки "УНТ-2" для синтеза УНТ. Предложение конструктивно-технологических методов высокоселективного синтеза углеродных наноструктур с контролируемыми параметрами на основе процессов химического осаждения из парогазовой фазы.
курсовая работа, добавлен 12.10.2015Использование ниобиевого болометра в интегральной антенной структуре. Настройка квазиоптических систем приемников миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн. Технология изготовления и свойства болометров на основе тонкопленочного ниобия.
статья, добавлен 30.10.2018Элементы конструкции интегральных схем (ИС), технологические маршруты изготовления ИС и пути их совершенствования. Влияние конструктивно-технологических факторов на надежность и коэффициент выхода годных тонкопленочных ИС с резистивными структурами.
курсовая работа, добавлен 04.12.2018Конструкция, строение и принцип действия транзисторов. Анализ их работы с разной схемой включения. Виды параметров транзисторов. Типы приборов и их системы обозначений. Расчет маломощного биполярного транзистора на основе германия, усиление его мощности.
курсовая работа, добавлен 18.12.2012Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Разработка метода синтеза шлейфных фильтров нижних частот с чебышевской характеристикой, без использования фильтров-прототипов. Обоснование преимущества предложенного метода путем сравнения его с методами на основе использования фильтров-прототипов.
статья, добавлен 29.07.2016Исследования в области квантовой физики, наностуктур, наноэлектроники, кристллофизики. Инвертированный атмосферный растровый электронный микроскоп. Интеграция методов сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионного спектрометрического анализа.
доклад, добавлен 12.11.2013Исследование и основная разработка технологии серийного изготовления высоконадежных тонкопленочных интегральных схем. Особенность обеспечения малых потерь энергии, высокой коррозионной стойкости и адгезии многослойных проводников микрополосковых линий.
статья, добавлен 04.12.2018Современное производство высококачественных микроэлектронных изделий. Обоснование необходимости учета контактных сопротивлений при контроле качества изготовления интегральных схем (ИС). Анализ технологических процессов изготовления тонкопленочных ИС.
курсовая работа, добавлен 04.12.2018Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Оксид цинка - прямозонный полупроводником, обладающий большими потенциальными возможностями применения в качестве материала для фотоприемников, светодиодов, прозрачных контактов, элементов солнечных ячеек и других элементов для тонкопленочной электроники.
статья, добавлен 30.05.2017Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
статья, добавлен 24.02.2019Рассмотрение задачи проектирования сверхширокополосной антенны на основе фрактальной технологии. Оптимизация геометрии антенны. Результаты исследований изменения характеристик излучения в зависимости от величины коэффициента масштаба и уровня итерации.
статья, добавлен 05.11.2018