Тонкопленочные наноструктуры на основе оксида магния MgO
Технология получения тонкопленочных наноструктур на основе оксида магния MgO, применяемых для изготовления прототипов спинтронных транзисторов. Результаты рентгеновских исследований наноструктур, их подтверждение методами электронной микроскопии.
Подобные документы
Изучение понятия, классификации и схем включения транзисторов. Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Управление током в выходной цепи. Мощность рассеиваемого тепла.
контрольная работа, добавлен 26.01.2015Розробка фізико-технологічних основ, аналітично-обчислювальних методик і експериментально-виробничих нанотехнологій для виготовлення напівпровідникових НВІС на нових багатокомпонентних матеріалах та створення нових інтегральних схем для їх експлуатації.
автореферат, добавлен 06.07.2014- 53. Интегральные сенсоры угловых скоростей и линейных ускорений LR-типа на основе углеродных нанотрубок
Технологии формирования наноструктурированных материалов и гибридных сенсорных систем на основе углеродных нанотрубок. Результаты моделирования наномеханического сенсора LR-типа в зависимости от изменений внешних воздействий с перекрытием по времени.
статья, добавлен 29.05.2017 Материалы, используемые для разработки микросборки. Технологические требования и ограничения. Разработка коммутационной схемы соединений. Расчет тонкопленочных элементов микросборки. Разработка топологии ИМС и технологии изготовления микросборки.
курсовая работа, добавлен 18.10.2017Принцип действия полевых транзисторов с управляющим p-n-переходом. Условное графическое обозначение МДП-транзисторов с индуцированным n-каналом. Типовые значения крутизны полевых транзисторов, их внутреннее сопротивление, емкость плоского конденсатора.
лекция, добавлен 04.10.2013Разработка и характеристика электрических схем аналоговых устройств на основе биполярных и полевых транзисторов. Исследование принципов работы гибридных интегральных микросхем. Ознакомление с особенностями структурной схемы двухкаскадного усилителя.
курсовая работа, добавлен 06.02.2017Конструирование тонкопленочных резисторов. Расчет тонкопленочных конденсаторов и проводников. Выбор навесных элементов. Определение площади платы и ее размера. Схема размещения плат на подложке. Электрофизические и механические характеристики ситалла.
контрольная работа, добавлен 28.02.2013Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Изучение свойств полевых транзисторов - полупроводниковых элементов, которые в отличие от обычных биполярных транзисторов управляются электрическим полем, то есть практически без затрат мощности управляющего сигнала. Режим насыщения и напряжение отсечки.
лабораторная работа, добавлен 22.10.2012Расчет тонкопленочных резисторов, выбор материала резистивной пленки. Определение геометрических размеров контактных переходов и подгоняемого резистора. Обеспечение электрической прочности и оценка добротности. Расчет тонкопленочных конденсаторов.
курсовая работа, добавлен 11.05.2017Методы позиционирования на основе изображения, получаемого в режиме реального времени с бортовой камеры. Определение расстояний до объекта в виде черной окружности известного диаметра. Сущность метода триангуляции. Построение карты видимых препятствий.
статья, добавлен 28.10.2018Генерация рентгеновских и гамма лучей за счет томсоновского рассеяния. Показано, что в такой схеме при использовании современных лазеров возможна генерация аттосекундных рентгеновских и гамма пучков с максимальной энергией в единицы МэВ и высокой яркостью
статья, добавлен 03.11.2018Транзистор как электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три или более вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Особенности их применения в проектировании микроэлектронных устройств.
доклад, добавлен 03.12.2014Анализ падения плоской волны на границу двух сред и сравнение численного решения с аналитическим. Моделирование наноструктуры бесконечного размера с периодически повторяющимися фрагментами с использованием каналов Флоке. Расчет коэффициентов отражения.
статья, добавлен 04.11.2018Осуществление управления током в выходной цепи за счет изменения входного напряжения или тока. Характеристика принципа действия и способов применения транзисторов. Улучшение параметров транзисторов BISS за счет изменения конструкции зоны эмиттера.
реферат, добавлен 08.06.2021Обоснование выбора элементов, резисторов, конденсаторов, микросхем, диодов и транзисторов. Расчет коэффициента заполнения печатной платы и надежности прибора. Обоснование разработки трассировки печатной платы. Технология изготовления печатных плат.
дипломная работа, добавлен 07.06.2012История создания полевых транзисторов, их схемы включения и устройство прибора с управляющим p-n переходом, классификация. Характеристика транзисторов с изолированным затвором (МДП-транзисторы). Основные области применения различных полевых транзисторов.
реферат, добавлен 07.12.2010Составляющие успеха реализации модели электронной торговли в сети Интернет. Преимущества электронной коммерции и перспективы ее развития. Технология Web EDI и электронная коммерция на базе языка XML. Программные решения для электронной коммерции.
реферат, добавлен 22.09.2010Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления. Классификация микросхем: полупроводниковые и гибридно-пленочные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС. Структура биполярных транзисторов. Условное обозначение серии микросхем.
презентация, добавлен 05.04.2020История изобретения полупроводниковых приборов диода и транзистора, принципы их работы и дальнейшее применение. Разработка и появление интегральных микросхем, особенности их применения. Технологии изготовления элементной базы для электронной техники.
реферат, добавлен 09.12.2015Возможности использования нерегулярных коаксиальных резонансных структур, возбуждаемых на высших высокодобротных видах колебаний. Создание высокочувствительного резонаторного измерительного преобразователя для сканирующей микроволновой микроскопии.
статья, добавлен 19.06.2018Проект усилителя электрических сигналов первичных измерительных преобразователей систем автоматического регулирования. Входные и выходные характеристики транзисторов. Особенности современных усилителей. Эксплуатационно-технические характеристики системы.
курсовая работа, добавлен 07.12.2012Рабочий участок выходной характеристики транзистора. Неудобство полевых транзисторов. Питание цепи затвора и стока. Определение коэффициента усиления усилителя на основе полевого транзистора. Зависимость тока стока от напряжения на затворе и стоке.
лекция, добавлен 30.07.2013Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Результаты сравнительного анализа характеристик алгоритмов итеративного приема дискретных сигналов, формируемых на основе класса регулярных низкоплотностных кодов. Проблемы, решаемые при создании помехоустойчивых систем передачи дискретных сообщений.
статья, добавлен 30.10.2018