Учет влияния подложки на высокочастотные характеристики кремниевых транзисторов
Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
Подобные документы
Получение выражений для определения максимального динамического блокирующего напряжения мощного биполярного транзистора с трехслойным коллектором. Механизм тепловой неустойчивости развития вторичного пробоя при переключении транзистора в режим насыщения.
статья, добавлен 20.08.2013Характеристика полупроводниковых приборов. Принцип работы биполярного транзистора, полевого транзистора и тиристора. Исследование усилительных каскадов на биполярном транзисторе. Свойства, амплитудные и частотные характеристики трехкаскадного усилителя.
учебное пособие, добавлен 18.04.2016Основные принципы классификации полупроводниковых диодов. Последовательное включение выпрямительных диодов. Классификация и основные особенности транзисторов. Устройство биполярного транзистора. Расчет входной и выходной характеристики транзистора.
курсовая работа, добавлен 13.12.2013Исследование влияния эклипсинга на точность пеленгации цели при коническом сканировании. Определение пределов угловых скоростей перемещения цели и помехи относительно равносигнального направления, при которых ошибки пеленгации не превышают пределов.
статья, добавлен 30.10.2018Основные области применения транзисторов. Схема лабораторного источника питания. Включение биполярного транзистора в ключевом режиме. Переделка узла управления для устройства плавного включения ламп накаливания. Схемы базовых элементов ТТЛ и КМОП.
доклад, добавлен 29.08.2013Абстрактный алфавит передачи информации и его состав. Кодирование и декодирование при передаче сообщения от источника к приемнику. Помехи в передачи информации и понятие о теоремах Шеннона. Международные системы байтового кодирования и их использование.
реферат, добавлен 08.02.2009Схема биполярного транзистора - полупроводникового элемента, имеющего трехслойную структуру, основные принципы его действия. Расчет выходной коллекторной характеристики транзистора. Коэффициент переноса или передачи тока от эмиттера к коллектору.
контрольная работа, добавлен 09.06.2016Расчет усилителя мощности звуковой частоты на основе операционного усилителя К154УД и кремниевых транзисторов с учетом защиты выходного каскада и внешней коррекции напряжения смещения нуля. Выбор типа электронных компонентов, входящих в состав устройства.
курсовая работа, добавлен 17.05.2010Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Биполярные транзисторы и усилители на их основе. Режимы работы транзистора. Точка покоя биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером (режим класса А). Работа биполярного транзистора, схема его включения и условные обозначения.
учебное пособие, добавлен 26.05.2014Применение в демодуляторах приемных устройств компенсационные процедуры когерентной обработки помехи и некогерентной обработки цифрового сигнала с целью повышения помехоустойчивости приема полезного сигнала, который наблюдается на фоне мощной помехи.
статья, добавлен 24.01.2018Устройство плоскостного биполярного транзистора. Концентрация основных носителей заряда. Схемы включения биполярных транзисторов. Статические характеристики биполярных транзисторов. Простейший усилительный каскад. Режимы работы и область применения.
реферат, добавлен 23.08.2009Понятие подложки в микроэлектронике. Развитие и производство полупроводниковых изделий и подложек на сегодняшний день. Источники загрязнения и важность снижения уровня загрязнений подложек. Классификация жидкостных и сухих методов очистки подложки.
реферат, добавлен 18.08.2014Современное состояние работ в области моделирования Si и SiGe биполярных транзисторных структур с учетом радиационных эффектов. Разработка унифицированной Spice-макромодели Si/SiGe биполярного транзистора, учитывающей влияние радиационных эффектов.
диссертация, добавлен 12.01.2017Цифровая схема логики или-не на биполярных транзисторах из идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора. Электрические параметры элементов схемы. Последовательность расчета параметров биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 20.03.2011Виды помех при съеме биопотенциалов: аддитивные и мультипликативные, артефакты, разностные и инфранизкочастотные синфазные помехи. Использование индифферентного электрода. Собственные шумы электронных приборов. Влияние линейных искажений на сигнал.
реферат, добавлен 09.12.2010Общая характеристика биполярного транзистора как трехэлектродного, электропреобразовательного полупроводникового прибора. Изучение принципов, режимов работы и физических процессов биполярного транзистора. Расчет токов и пробоя биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 01.05.2011Результаты экспериментальных исследований влияния подгонки сопротивления и топологических параметров мощных высокочастотных планарных резисторов на их частотные характеристики, разработка рекомендаций по способам подгонки и оптимизации топологии.
статья, добавлен 07.11.2018Краткий анализ причин перераспределения тока в транзисторной структуре. Разработка макета для проведения неразрушающих испытаний биполярных транзисторов. Область безопасной работы биполярного транзистора. Результаты контроля партии транзисторов.
статья, добавлен 15.08.2013Замеры и расчеты различных характеристик биполярного транзистора КТ 201Б в усилительном каскаде с общим эмиттером. Параметры усилительного каскада, коэффициенты усиления по мощности, по току и по напряжению. Амплитудно-частотные характеристики усилителя.
курсовая работа, добавлен 13.11.2016- 46. Статистические характеристики смесей негауссовского радиолокационного сигнала и негауссовской помехи
Исследование вероятностных характеристик параметров негауссовских частично поляризованных сигналов при наличии негауссовской помехи. Статистическое описание сигналов, у которых флуктуации амплитуд имеют более глубокий характер, чем у релеевской модели.
статья, добавлен 30.10.2018 Назначение, устройство, система обозначения и способы изготовления транзисторов. Получение электронно-дырочных переходов в полупроводниковом приборе. Особенности биполярного низкочастотного транзистора NPN. Его техническая спецификация и сфера применения.
реферат, добавлен 16.06.2014Эквивалентные схемы IGBT транзистора. Зависимость падения напряжения на открытом приборе от температуры. Структуры элементарных ячеек IGBT транзисторов. Динамические характеристики IGBT структуры. Сравнительные характеристики различных семейств IGBT.
реферат, добавлен 10.01.2011Электрические параметры биполярного германиевого усилительного высокочастотного маломощного сплавно-диффузионного транзистора. Определение его смешанных (гибридных) параметров по семейству входных и выходных характеристик для схемы с общим эмиттером.
контрольная работа, добавлен 24.01.2015Принцип действия биполярных транзисторов. Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией. Структура полупроводниковых ИМС на основе биполярного транзистора. Метод диэлектрической изоляции.
курсовая работа, добавлен 20.11.2011