Учет влияния подложки на высокочастотные характеристики кремниевых транзисторов
Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
Подобные документы
Электроника как наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями. Знакомство с особенностями биполярного транзистора ГТ310А, рассмотрение способов определения параметров. Анализ этапов построения нагрузочной прямой по постоянному току.
курсовая работа, добавлен 18.02.2020Ознакомление с предварительными данными для расчета усилителя. Характеристика процесса выбора транзистора и напряжения источника питания. Расчет режима транзистора по постоянному току, а также элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора.
контрольная работа, добавлен 31.10.2014Электрофизические характеристики различных областей транзисторной структуры. Технологии изготовления кристаллов и измерение энергетических параметров транзисторов. Технологические пути обеспечения надежности. Усилители на основе мощных автогенераторов.
учебное пособие, добавлен 31.01.2019Разработка, расчет и построение принципиальной схемы усилителя, амплитудно-частотной характеристики (АЧХ). Расчет АЧХ на нижних и верхних частотах. Разработка топологии интегральной микросхемы усилителя. Расчет резисторов, конденсаторов, транзисторов.
курсовая работа, добавлен 16.09.2017Анализ суррогатной помехи и методической ошибки, обусловленных применением технологии суррогатных данных при спектральном анализе наблюдаемых сигналов. Гистограммы распределений суррогатной помехи для разного числа гармонических компонент сигнала.
статья, добавлен 14.07.2016Предназначение и классификация аналоговых электронных устройств. Энергетические показатели усилителя. Основы применения обратной связи. Свойства каскадов основных схем включения транзисторов. Синтез аналоговых трактов радиоэлектронной аппаратуры.
курс лекций, добавлен 03.06.2015Выбор режима работы транзистора. Расчет сопротивления делителя в цепи базы и мощности резистора. Физические малосигнальные параметры П-образной схемы замещения биполярного транзистора. Определение параметров каскада. Оценка его нелинейных искажений.
курсовая работа, добавлен 20.08.2017Предназначение транзисторов и их виды, особенности биполярных транзисторов. Анализ и расчет схем транзистора n-p-n типа, определение сопротивления резисторов, коэффициентов усиления тока, напряжения и мощности. Изготовление и монтаж усилительного каскада.
курсовая работа, добавлен 07.01.2015Изучение принципа действия полупроводниковых приборов. Классификация диодов и транзисторов. Термостабилизация рабочей точки транзистора по постоянному току. Анализ работы усилителя сигналов низкой частоты. Характеристики компаратора и мультивибратора.
курс лекций, добавлен 23.03.2015- 110. Оценка мощности интермодуляционных помех для сигналов с ортогональным частотным мультиплексированием
Методики оценки мощности интермодуляционных помех на выходе передатчика как нелинейного устройства для сигналов с частотным ортогональным мультиплексированием, характеризуемых высокими значениями пик/фактор. Зависимость помехи от частоты в полосе.
статья, добавлен 07.11.2018 Необходимость использования RLC-элементов в качестве блоков наноэлектрических схем. Методика изготовления образцов с высоким значением кинетической индуктивности и требования к ним. Принципы и правила нанесения тонкопленочных материалов подложки.
курсовая работа, добавлен 01.12.2019Условия выбора транзистора. Нахождение рабочей точки. Методы расчета усилительных каскадов, корректирующих цепей, цепей термостабилизации. Индуктивная и эмиттерная коррекции. Частотные и временные характеристики каскада. Расчет верхней граничной частоты.
курсовая работа, добавлен 01.12.2013Определение места пленочных нанофаз среди фаз, стабилизированных подложкой. Возможные применения пленочных нанофаз в кремниевых наносхемах, в безрезистной нанолитографии, в кремниевой нанофотонике и наноспинтронике. Условия образования пленочных нанофаз.
статья, добавлен 13.11.2018Результаты экспериментального исследования влияния напряжения питания на характеристики физически неклонируемых функций (ФНФ) арбитрового типа. Негативное влияние систематических вариаций на уникальность ФНФ. Анализ способов повышения уникальности ФНФ.
статья, добавлен 27.07.2017Информация, сообщения и сигналы. Системы, каналы и сети связи. Флуктуационные и импульсные помехи и искажения в канале. Характеристики источника сообщений. Дискретные и непрерывные сигналы. Основные устройства системы передачи дискретных сообщений.
презентация, добавлен 26.09.2017Устройство, назначение, принцип и режимы действия биполярных транзисторов, как трехэлектродного полупроводникового прибора. Основные носители биполярного транзистора: электроны и дырки, схемы включения. Слои полупроводника и тип приметной проводимости.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Общие сведения об аналоговых электронных устройствах. Основные технические параметры и характеристики автоматических электронных устройств. Методы обеспечения режима работы биполярных и полевых транзисторов в каскадах усиления, многокаскадные усилители.
курс лекций, добавлен 15.10.2010Использование сигналов с многопозиционной фазовой манипуляцией (М-ФМ) в телекоммуникационных системах. Оценка помехоустойчивости приема сигналов М-ФМ для двух случаев: при наличии в канале ретранслированной помехи и при наличии мультипликативной помехи.
статья, добавлен 02.04.2019Анализ инерционности фотогенерированных носителей заряда в структуре кремниевого фотопреобразователя (ФЭП). Разработка многоэмиттерного биполярного транзистора. Исследование специфики влияния зарядовых насосов на световую вольтамперную характеристику ФЭП.
статья, добавлен 09.07.2013Сведения об авиационных генераторах. Выбор структурной схемы. Выбор датчика напряжения и схемы источника опорного напряжения, устройства сравнения и усилителя напряжения, схем усилителя мощности и регулирующего элемента. Эмиттерный переход транзистора.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Выделение двухканальным модельным компенсатором помех гауссово-марковского процесса, действующего на фоне узкополосной нормальной помехи. Использование модельного компенсатора помех, который работает при слабой или абсолютной некоррелированности помех.
статья, добавлен 30.10.2018Тип проводимости транзистора. Амплитудное значение входного напряжения. Внутреннее сопротивление источника. Нижняя и верхняя циклические частоты усиливаемого сигнала. Коэффициент частотных искажений амплитудно-частотных характеристик усилителя.
курсовая работа, добавлен 26.05.2012Наблюдение небольших нелинейных искажений. Процесс усиления сигнала в классе А. Определение четырех параметров данного каскада (четырехполюсника). Влияние температуры. Зависимость от соотношения входного сопротивления транзистора. Синусоидальная ЭДС.
презентация, добавлен 23.09.2016Ознакомление с различными методами уменьшения величины переходной помехи. Изучение требований для полевых испытаний кабельной системы. Определение влияния помех на пропускную способность тракта передачи сигнала. Анализ идеального фильтра нижних частот.
статья, добавлен 17.11.2020- 125. Диоды и транзисторы
История создания и классификация полевых транзисторов. Транзисторы с управляющим p-n-переходом, изолированным затвором и индуцированным каналом. Схемы их включения и области применения. Устройство, принцип действия и режимы работы биполярного транзистора.
контрольная работа, добавлен 25.03.2015