Учет влияния подложки на высокочастотные характеристики кремниевых транзисторов
Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
Подобные документы
Изучение истории развития конструкции полевого транзистора. Приведение схем Хейла, Лилиенфельда, Шокли. Классификация полевых транзисторов, их устройство, принцип действия, технология изготовления. Характеристики и основные параметры полевых транзисторов.
статья, добавлен 24.02.2019Области использования радиопередающих устройств. Виды модуляции и возможности управления. Согласование электронного прибора с источником возбуждения и нагрузкой. Статические характеристики триода, его аппроксимация. Допустимые параметры транзистора.
учебное пособие, добавлен 01.06.2017Определение и техническое описание диода, его достоинства и недостатки. Рабочие характеристики и назначение полупроводниковых транзисторов, принцип работы триода. Материалы, из которых изготовляют триоды. Описание и структура полевых МДП транзисторов.
реферат, добавлен 05.04.2011Устройство плоскостного биполярного транзистора. Режимы работы биполярного транзистора. Схема включения с общим эмиттером, базой и коллектором. Эквивалентная схема транзистора с использованием h-параметров. Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
реферат, добавлен 06.12.2015Исследование систем телеизмерения с различными типами модуляции и влиянием помех на характеристики передаваемого сигнала в этих системах. Оценка степени влияния непрерывной помехи в линии связи на точность передачи сигнала. Схема системы телеизмерения.
лабораторная работа, добавлен 20.12.2020Результаты статистического испытания приёмника, обеспечивающего эффективную компенсацию помехи при приёме цифровых сигналов с низкой энергетикой. Моделирование вариантов ремодуляции сигнала, очищенного от структурной помехи, на выходе компенсатора.
статья, добавлен 28.09.2012Факторы, ограничивающие возможность использования низкочастотных транзисторов в сверхвысокочастотном диапазоне. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Уменьшение толщины и легирование базы. Представление СВЧ БТ эквивалентными схемами.
реферат, добавлен 20.01.2016Определение зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты. Выходные характеристики полевого транзистора. Зависимость дифференциальных параметров. Особенности процесса построения временной диаграммы переменного тока коллектора.
контрольная работа, добавлен 22.10.2017Анализ вольтамперных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером. Изучение выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком. Режимы работы полупроводниковых приборов. Порядок входного сопротивления транзисторов.
лабораторная работа, добавлен 21.11.2017Изучение схемы включения и исследование статических характеристик полевого транзистора с управляющим p-n-переходом. Описание структуры и расчет стоковых и передаточных параметров транзистора. Сигнальные параметры и дифференциальное сопротивление стока.
лабораторная работа, добавлен 21.07.2013Оценка степени влияния мультипликативной помехи на эффективность обнаружения радиолокационного сигнала, наблюдаемого на границе раздела двух сред, в условиях воздействия аддитивного шума. Статистические характеристики сигнала описываемого распределением.
статья, добавлен 30.10.2018Понятие, виды и принцип действия полевых транзисторов. Структурная схема и характеристики полевого транзистора с управляющим p-n переходом. Особенности полевых транзисторов с изолированным затвором и встроенным каналом. Схемы включения транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Классификация полевых транзисторов. Частотные, шумовые, тепловые и вольт-амперные характеристики. Полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Схемы включения полевых транзисторов. Ключевой режим работы. Области применения полевых транзисторов.
курсовая работа, добавлен 21.12.2015Построение отбеливающего фильтра для аддитивной помехи с произвольным энергетическим спектром при исключении искажения формы спектра полезного сигнала. Структурная схема адаптивного фильтра, активного RC-фильтра. Помехи с быстро возрастающим спектром.
статья, добавлен 12.07.2013Защита телекоммуникационного оборудования от влияния окружающей среды. Сквозной ток при переключении цифровых микросхем: механизм образования и влияние на помехи в системе питания. Базовые конструкции многослойных плат. Основные способы задания графов.
лекция, добавлен 20.03.2011Анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора, используя включения с общей базой. Определение по построенным характеристикам графоаналитическим способом h-параметров. Значение элементов схемы R1/R4 и пределы измерительных приборов.
лабораторная работа, добавлен 16.09.2017Структура и топология МДП-транзистора. Расчёт ВАХ в рамках идеализированной модели и с учётом неоднородности ОПЗ под затвором. Параметры малосигнальной эквивалентной схемы. Корректировка порогового напряжения с учётом эффектов короткого и узкого канала.
курсовая работа, добавлен 07.08.2013Ячейка флэш-памяти на основе МОП-транзистора: её структура и особенности. Обобщенная стокозатворная характеристика транзисторов различного типа. Обзор полевых транзисторов с изолированным затвором. Распространение транзисторов с управляющим p-n-переходом.
презентация, добавлен 20.07.2013Расчет параметров и характеристик МОП-транзисторов на основе дырочного кремния, со встроенным каналом. Изучение понятия и сущности транзисторов, анализ их основных видов. Классификация полевых транзисторов. Анализ концентрации легирующей примеси в канале.
курсовая работа, добавлен 14.06.2020Помехи, действующие в канале передачи данных, их аддитивный и мультипликативный характер. Остаточное затухание и уровень помех в канале системы передачи извещений. Мультипликативные помехи в каналах связи. Факторы нестабильности передачи сигналов.
статья, добавлен 08.12.2018Применение принципа каскадирования звеньев второго порядка с абсолютно высокой чувствительностью амплитудно- и фазочастотных характеристик в полосе пропускания. Влияние малосигнальных параметров биполярных транзисторов на параметры усилительных каскадов.
статья, добавлен 30.05.2017Классический повторитель напряжения и схема быстродействующего широкополосного повторителя напряжения на основе каскада с общим истоком. Амплитудно-частотные характеристики коэффициента усиления по напряжению. Переходные процессы выходного напряжения ШПН.
статья, добавлен 30.05.2017Структура полевого транзистора с индуцированным каналом. Расчет потенциала Ферми и напряжения спрямления энергетических зон. Вычисление рабочей частоты. Построение статической передаточной характеристики и определение ее крутизны в области насыщения.
контрольная работа, добавлен 06.11.2021Порядок проектирования сетевого источника напряжения, на выходе которого имеется стабилизированное напряжение +3В. Выбор транзистора, стабилитрона. Расчет выпрямителя и трансформатора. Определение сопротивления резистора, его рассеиваемая мощность.
курсовая работа, добавлен 17.06.2012Требования к тонкопленочным резисторам и конденсаторам, особенности и исходные данные для их расчета. Подбор навесных компонентов. Расчет площади подложки. Выбор материала диэлектрика. Бескорпусные аналоги транзисторов. Принципиальная электрическая схема.
контрольная работа, добавлен 19.09.2015