Учет влияния подложки на высокочастотные характеристики кремниевых транзисторов
Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
Подобные документы
Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
шпаргалка, добавлен 01.10.2017Эскизный расчет усилителя с подавителем синфазной помехи во входной цепи. Выбор функциональной схемы проектируемого устройства. Электрический расчет преобразователя питания. Моделирование настройки инструментального усилителя с подавителем помехи.
курсовая работа, добавлен 06.11.2017Режимы работы биполярного транзистора. Изменение ширины базы и ее свойств под действием обратного коллекторного напряжения. Резкая зависимость тока коллектора от напряжения при малых значениях. Граничная частота коэффициента передачи эмиттерного тока.
лекция, добавлен 04.10.2013Исследование влияния электромагнитного поля на интенсивность шума биполярных транзисторов. Характеристика особенностей работы отечественных высокочастотных транзисторов в сильных электромагнитных полях с сохранением в поле хороших шумовых показателей.
статья, добавлен 22.03.2018Изучение распространенных ошибок, совершаемых разработчиками печатных плат. Шум и помехи как основные элементы, ограничивающие качественные свойства схемы. Особенность разделения аналоговой и цифровой земли. Высокочастотные характеристики индуктивностей.
статья, добавлен 25.04.2017Свойства полевого транзистора с изолированным затвором (МОSFЕТ), его преимущества и отличие от биполярного транзистора. Характеристика и особенности применение полевых транзисторов. Процессы, происходящие в транзисторе при его управлении и переключении.
реферат, добавлен 30.08.2010Анализ результатов теоретических исследований влияния диэлектрических свойств контролируемых сред на частотные параметры вибраторных антенн, находящихся вблизи поверхности. Оценка возможности контроля среды посредством системы из двух вибраторных антенн.
статья, добавлен 04.11.2018Характеристика кремниевых транзисторов с изолированным затвором. Рассмотрение особенностей технологического процесса изготовления FinFET-транзистора. Анализ функций нанотранзисторов на основе углеродных нанотрубок. Знакомство с проблемами GaN-технологии.
дипломная работа, добавлен 17.12.2013Диффузионное электрическое поле эмиттерного и коллекторного переходов. Характеристика схемы включения транзистора. Входное и выходное сопротивление для структуры с общей базой. Коэффициент передачи тока. Влияние роста частоты на работу радиоприемника.
контрольная работа, добавлен 28.03.2014- 60. Уровень помех
Геофизическое поле как сумма полезного сигнала и помехи (шума). Факторы, которые осложняют производство измерений геофизического поля и интерпретацию получаемых данных. Микросейсмы, возникающие от ряда причин. Помехи в методе вызванной поляризации.
реферат, добавлен 24.08.2015 Характеристика и специфика принципа действия биполярного транзистора, понятие верхнего тока. Вольтамперная характеристика, вычисление возможного изменения тока. Схемы биполярных транзисторов, отличительные черты положительного и отрицательного напряжения.
лекция, добавлен 23.09.2017Влияние ионизирующего излучения на характеристики КМОП транзисторов. Процессы, протекающие в окисле при влиянии радиации. Разработка моделей КМОП транзисторов с учетом влияния радиации космического пространства. Создание единой модели для доз радиации.
дипломная работа, добавлен 28.11.2019Физические процессы, протекающие в транзисторной структуре биполярного типа. Входные и выходные характеристики транзистора. Характеристикам для прямого тока диода. Увеличение тока базы. Свойства коллекторного перехода, работающего при обратном напряжении.
лабораторная работа, добавлен 25.11.2014Расчет автоколебательного мультивибратора: выбор напряжения источника, выбор транзистора, расчет сопротивления резисторов и хронирующего конденсатора. Параметры ждущего мультивибратора, его транзисторов и резисторов. Проверка условия восстановления схемы.
курсовая работа, добавлен 28.08.2012Специфика статических характеристик биполярного транзистора. Расчёт статического коэффициента передачи тока. Дифференциальное входное сопротивление транзистора и результаты измерения тока коллектора. Особенности порядка проведения экспериментов.
лабораторная работа, добавлен 27.12.2014Активные и реактивные составляющие параметров частоты сигнала. Параметры транзистора в режиме преобразования. Число контуров тракта сигнальной частоты. Частотные искажения по частям приемника. Число каскадов высокочастотной части и усиления по каскадам.
контрольная работа, добавлен 18.08.2012Структура и принцип действия биполярного транзистора. Схема его включения и выключения с общей базой, общим эмиттером и коллектором. Температурные и частотные свойства транзистора. Анализ и расчет усилительного каскада по постоянному и переменному току.
курсовая работа, добавлен 04.04.2015Применение аналоговых ключей для коммутации знакопеременных сигналов, напряжения и токи которых могут изменяться в широких пределах. Схема последовательного ключа на МДП-транзисторе с индуцированным каналом n-типа. Высокочастотные управляющие импульсы.
лекция, добавлен 04.10.2013Анализ структурной схемы АРФ с ЧА. Последовательное включение автокомпенсатора доплеровской фазы помехи и режекторного фильтра с оптимизированными в априорно заданном диапазоне изменениями нормированной ширины спектра помехи весовыми коэффициентами.
статья, добавлен 16.02.2020Канал связи как система технических средств и среда распространения сигналов для односторонней передачи, данных от отправителя к получателю. Стохастические и прогнозируемые помехи. Случайные процессы и их спектры. Основные способы устранения шумов.
презентация, добавлен 22.10.2014Выбор функциональной схемы измерительного усилителя переменного напряжения. Расчет сопротивления обратной связи. Снижение коэффициента нелинейных искажений. Выбор транзисторов по току для бестрансформаторных схем. Частотные свойства выходных транзисторов.
курсовая работа, добавлен 06.06.2014Применение ансамбля нейронных сетей для пеленгации источника полезного сигнала на фоне мощной помехи. Исследование различных фиксированных угловых положений антенной решетки. Анализ точности пеленгации полезного сигнала и ориентировочного выигрыша.
статья, добавлен 02.04.2019Описание устройства и принципа действия биполярного транзистора как трёхполюсного полупроводникового прибора с двумя p-n переходами. Электросвязь и полупроводниковые области биполярного транзистора. Общий активный режим, отсечка и насыщение транзистора.
лекция, добавлен 19.09.2011Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Устройство и принцип работы транзисторов. Режимы работы и параметры биполярного транзистора. Основные элементы цепи простейшего усилителя.
реферат, добавлен 04.05.2014Условия согласования интегрального малошумящего усилителя с источником сигнала, результаты моделирования зависимостей коэффициента передачи по напряжению и коэффициента шума от длины эмиттера биполярного транзистора и ширины затвора МОП транзистора.
статья, добавлен 15.08.2013