Полупроводниковый p-n-переход
Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
Подобные документы
Решение задач повышения адсорбции и селективности. Исследование кондуктометрических сенсоров с чувствительным слоем на основе полупроводника. Анализ влияния глубоких энергетических уровней в запрещенной зоне на увеличение газовой чувствительности.
статья, добавлен 29.06.2017Исследование неоднородности поля модулирующей частоты полупроводникового лазера в ближней зоне излучения. Построение приемопередающего тракта точных лазерных измерительных систем. Возможные причины, приводящие к высокой неоднородности поля излучения.
статья, добавлен 07.11.2018Описание физических свойств, применения, оптики и легирования полупроводников. Изучение состава полупроводникового устройства транзистора, электронно-дырочного механизма проводимости. Анализ зависимости подвижности электронов и дырок от их концентрации.
реферат, добавлен 26.03.2011Поток электронов через туннельный переход в структуре нормальный металл-изолятор-сверхпроводник. Диаграмма энергетических уровней в переходе микрохолодильника. Нанохолодильник на основе Кулоновского барьера, кулер в виде одноэлектронного транзистора.
реферат, добавлен 21.09.2018Сущность микропроцессора, его характеристика. Описание классов развития микропроцессорной техники. Разработка схемы электрического структурного модуля центрального процессора, специфика его элементной базы. Временные диаграммы функционирования модуля.
курсовая работа, добавлен 23.12.2014Принципиальные достоинства оптоэлектронных приборов и устройств. Основная задача и материалы фотоприемников. Механизмы генерации неосновных носителей в области пространственного заряда. Дискретные МПД-фотоприемники (металл - диэлектрик - полупроводник).
реферат, добавлен 06.12.2017Характеристика полупроводников. История развития транзисторных технологий. Характеристика химической связи в аморфных полупроводниках. Общая характеристика оптических спектров поглощения аморфных полупроводников. Структура связей аморфного кремния.
реферат, добавлен 15.05.2015Расчет температурной зависимости концентрации равновесных носителей заряда и уровня Ферми в собственном полупроводнике. Особенности нахождения высоты потенциального барьера равновесного р-n перехода. Вычисление коэффициента диффузии для электронов, дырок.
курсовая работа, добавлен 13.11.2013Анализ схематического изображения электрического вибратора в плоском волноводе. Специфические особенности применения преобразования Фурье для определения выражения продольной по отношению к оси антенны компоненты напряженности электрического поля.
статья, добавлен 04.11.2018- 35. Модель трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика напряженности электрического поля
Функциональное назначение и область применения трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика напряженности электрического поля. Разработка и обоснование математической модели трехкоординатного электроиндукционного сферического датчика.
практическая работа, добавлен 11.01.2020 Характеристика полупроводниковой интегральной микросхемы, методы оценки технологичности ее конструкции. Особенности и достоинства эпитаксиально-планарной технологии. Технологический маршрут изготовления микросхемы. Детальное описание основных операций.
курсовая работа, добавлен 25.12.2012Полупроводниковый диод как полупроводниковый прибор с одним электрическим переходом и двумя выводами: рассмотрение типов, знакомство с принципом устройства. Знакомство с особенностями применения полупроводниковых диодов для выпрямления переменного тока.
курсовая работа, добавлен 23.03.2016Описание процессов в электрических элементах и узлах аппаратуры. Характеристика электропроводности и эффектов полупроводников. Функционирование электронно-дырочных и металлополупродниковых переходов. Общее описание устройства полупроводниковых приборов.
книга, добавлен 26.03.2011Разработка полупроводниковых приборов. Изучение Лосевым основ искровых передатчиков и тонкостей радиодела, кристаллических детекторов. Факторы, повлиявшие на выбор места для будущего центра исследований. Квантовая теория строения полупроводников.
реферат, добавлен 17.01.2015Транзистор как полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им, основные области его применения и механизм действия. Характеристика видов: тиристоры, симистор, полевые и МОП-транзисторы. Недостатки и надежность.
реферат, добавлен 23.03.2014Исследование явления возникновения электрического поля в результате давления на кристалл. Свойства и характеристики пьезоэлектрических материалов. Этапы производства пьезокерамики. Анализ направлений поляризации доменов в поликристаллической структуре.
курсовая работа, добавлен 07.11.2018Основные свойства полупроводников, распространённость в природе, применение. Механизм проведения электрического тока полупроводниками. Собственная и примесная фотопроводимости. Взаимодействие излучения с полупроводником. Использование в оптоэлектронике.
реферат, добавлен 13.01.2014Сравнительная характеристика и свойства полупроводников и диэлектриков. Динамический режим работы биполярных транзисторов. Классификация и маркировка микросхем. Параметры и характеристики усилителей. Режим работы транзистора в усилительных каскадах.
контрольная работа, добавлен 30.11.2016Влияние уровней прилипания на стационарный (установившийся) фототок и стационарную фотопроводимость. Изменение релаксации фототока при наличии медленных центров захвата и при сильном заполнении уровней прилипания. Термостимулированное опустошение ловушек.
контрольная работа, добавлен 30.03.2017Знакомство с классификацией полупроводниковых приборов по признаку их функционального назначения в радиоэлектронных схемах. Варикап как полупроводниковый нелинейный управляемый конденсатор. Особенности параметрических и полупроводниковых диодов.
дипломная работа, добавлен 21.08.2015Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Характеристика электромагнитной обстановки как совокупности уровней помех на конкретном объекте. Изучение особенностей импульсных помех при коммутационных операциях выключателями и разъединителями. Определение трасс растекания токов при грозовом разряде.
реферат, добавлен 30.03.2015Электропроводность полупроводников, определение и специфика плотности дрейфового тока. Параллельное соединение диодов, характеристика и предназначение стабилитронов, стабисторов. Транзисторы, управляемые с помощью p-n перехода или барьера Шоттки.
курс лекций, добавлен 02.10.2016История возникновения и классификация носителей информации. Накопители на гибких и жестких магнитных дискетах как продолжение развития технологии магнитного хранения информации. Классы применения оптических, магнитооптических и цифровых компакт-дисков.
курсовая работа, добавлен 18.10.2016Проектирование передающей ромбической антенны для магистральной связи. Протяженность радиолинии, проходящей в средних широтах. Действующая высота отражения слоя. Напряженность электрического поля. Диапазон рабочих частот. Параметры данного аппарата.
контрольная работа, добавлен 16.01.2014