Полупроводниковый p-n-переход
Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
Подобные документы
Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Характеристика транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором. Основные схемы включения полевого полупроводникового прибора. Сущность и принцип работы симистора. Проверка, распиновка и использование симметричных триодных тиристоров.
реферат, добавлен 03.11.2016Назначение и использование стенда для исследования влияния температуры на удельную электропроводность полупроводников. Определение зависимости электропроводности полупроводников от температуры. Лабораторное исследование кремниевого полупроводника.
статья, добавлен 11.01.2020Понятие и сущность, специфика и предназначение системы персонального радиовызова. Особенности и распространение процесса внедрения сотовых сетей связи. Описание и применение электронной почты, использование видеоконференции и интернет-телефонии.
презентация, добавлен 03.11.2016Основные виды пространственно-развитых антенных решеток, их достоинства и недостатки, процесс амплитудного распределения сигнала и особенности его реализации. Причины возникновения помех и искажений сигнала связи, определение количества элементов антенн.
учебное пособие, добавлен 08.02.2016Основные физические явления, используемые в квантовых приборах. Населенности энергетических уровней при термодинамическом равновесии. Переходы микрочастиц между энергетическими уровнями. Квантовые парамагнитные усилители. Квантовые стандарты частоты.
учебное пособие, добавлен 10.12.2013Контроль температуры в системах дорожной и автомобильной автоматики. Полупроводниковые терморезисторы в качестве датчиков температуры. Индуктивный измерительный полупроводниковый преобразователь с периферийными схемами. Оцифровка температурных значений.
статья, добавлен 24.05.2018Сущность и предназначение копировального аппарата. Принцип работы зарядного устройства, описание и специфика процесса переноса изображения. Очистка барабана и термозакрепление. История первых копировальных аппаратов, особенности фирм Xerox, Canon, Ricoh.
реферат, добавлен 20.11.2015Постановка задачи синтеза электрического фильтра, основные требования к нему, принцип работы, преимущества и недостатки использования. Переход к фильтру низких частот и нормирование частот. Расчет и построение денормированных частотных характеристик.
курсовая работа, добавлен 08.09.2013Транзистор как электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три или более вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний. Особенности их применения в проектировании микроэлектронных устройств.
доклад, добавлен 03.12.2014Математические модели распределенных автоматизированных систем управления. Среднее время восстановления в предположении, что моменты возникновения отказов статистически независимы. Понятия структурного поля и поля реализации операций цифровой обработки.
лекция, добавлен 18.03.2018Использование варизонных полупроводников как один из основных механизмов увеличения эффективности и выходной мощности диодов Ганна. Высокая концентрация электронов в боковых долинах в области катода - причина возникновения доменной неустойчивости.
статья, добавлен 14.07.2016Сущность и использование метода узловых напряжений для определения основных показателей электрической цепи. Описание, специфика и значение линейного моделирования. Топология фильтра полосового 12-14 ГГц, его расчетная амплитудно-частотная характеристика.
реферат, добавлен 24.04.2015Повышение плотности информации в канале связи, его быстродействия и помехозащищенности - достоинства электронно-оптического направления микросхемотехники. Фоторезистор – полупроводниковый прибор, действие которого основано на фоторезистивном эффекте.
контрольная работа, добавлен 09.05.2016Определение значение барьерной емкости Cj (-2B). Расчет электрического поля вдали от перехода в Р области при прямом смещение 0,5В. Построение YD(VG) для двух значений VD. Модель идеального диода. Определение дрейфового тока и подвижности электронов.
контрольная работа, добавлен 14.10.2017Характеристика определения электрического фильтра. Изучение аппроксимации частотной характеристики рабочего ослабления фильтра и реализация его схемы. Расчет элементов схемы электрического фильтра, определение его заданных и временных характеристик.
курсовая работа, добавлен 24.11.2014Процесс изложения принципов построения транзисторных генераторов с внешним возбуждением, анализ режимов их работы. Приведение их основных параметров, соотношений. Оптимизация электрического режима генераторов, особенности работы на расстроенную нагрузку.
учебное пособие, добавлен 07.03.2013Определение границы диапазонов частот, занимаемых нижними боковыми полосами сигналов. Особенности назначения элементов передающей и приемной станции в структурной схеме. Расчет уровней передачи и приема для усилителя, построение диаграммы уровней.
контрольная работа, добавлен 14.04.2015Разработка математической модели гибридно-зеркальной антенны с основным зеркалом в виде параболоида вращения и облучающей системой, создающей круговую поляризацию первичного поля излучения. Формулы для расчёта поля излучения гибридно-зеркальных антенн.
статья, добавлен 19.08.2013Описание выбора типа кабеля для подсистемы кампуса, характеристика и отличительные черты активного и пассивного сетевого оборудования. Специфика логической структуризации сети. Описание технологий и кодирования в системе Fiber Distributed Data Interface.
реферат, добавлен 28.10.2015Объективные предпосылки возникновения идеи сетей следующего поколения (Next Generation Networks – NGN). Основные принципы функциональной архитектуры NGN согласно рекомендации МСЭ-Т Y.2012. Особенности функциональности уровней базовой эталонной модели NGN.
реферат, добавлен 21.10.2012Изготовление твердотельных интегральных транзисторов методами планарной или изопланарной технологий. Материалы, необходимых для изготовления планарного транзистора. Расчет профиля легирования примесей и количества диффузанта при загонке примеси.
контрольная работа, добавлен 02.02.2016Сущность, специфика и предназначение устройства звукового оповещения, его характеристика и принцип действия. Выбор и обоснование элементной базы, описание цифрового счетчика. Понятие генератора управления напряжением. Расчет печатной платы и надежности.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Процессы переключения компараторов, их характеристика и сущность. Аналоговый интегральный компаратор, понятие, сущность и описание особенностей. Схемы включения выходного каскада компаратора, их сущность. Двухпороговый компаратор и его характеристика.
реферат, добавлен 14.02.2009