Полупроводниковый p-n-переход
Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
Подобные документы
Определение состава компонента сложных колебаний. Изучение вейвлет-функций и предсказание поведения сигнала в частотной области. Выбор анализирующего вейвлета выходного сигнала аналитического прибора. Свойства и характеристика энергетических уровней.
статья, добавлен 30.08.2018Назначение, разновидности и эффективность системы интервального регулирования движения поездов. Проблемы обеспечения безопасности железнодорожного сообщения. Специфика устройств СЦБ и особенности систем ИРДП. Основные устройства и приборы систем ИРДП.
контрольная работа, добавлен 29.03.2018Полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями, имеющий три или больше взаимодействующих выпрямляющих перехода. Тиристор в роли электронного ключа. Характеристики и параметры оптронов. Параметры, характеризующие транзисторную оптопару.
контрольная работа, добавлен 09.02.2014Полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Устройство и принцип работы транзисторов. Режимы работы и параметры биполярного транзистора. Основные элементы цепи простейшего усилителя.
реферат, добавлен 04.05.2014Техническая характеристика автоматической телефонной станции. Сущность ступени подключения абонентских линий. Определение интенсивности нагрузок, поступающих на все пучки соединительных устройств. Описание коммутационного поля проектируемой базы.
курсовая работа, добавлен 15.05.2016Диод как двухэлектродный полупроводниковый прибор, состоящий из одного p-n перехода. Вольт-амперная характеристика p-n перехода. Синтез схемы для снятия ВАХ прямой ветви диода в Мультисим 14. Схема для снятия ВАХ обратной ветви диода. Поиск пробоя.
лабораторная работа, добавлен 01.06.2022Описание применения полупроводниковых индикаторов. Использование дискретных светодиодов в рекламе и при наблюдении за параметрами технологического процесса. Описание светодиодного куба как объекта управления. Техническая реализация средств отображения.
статья, добавлен 24.05.2018Сущность и классификация транзисторов как радиоэлектронных компонентов из полупроводникового материала. Устройство биполярного транзистора. Эпитаксиальные транзисторы. Материалы для изготовления полупроводниковых приборов. Особенности расчёта транзистора.
курсовая работа, добавлен 21.02.2018Применение параллельных вычислений на графических процессорах при решении задачи переноса носителей заряда в полупроводниковых приборах с учетом радиационного воздействия. Сведение системы уравнений в производных к дифференциально-алгебраической задаче.
статья, добавлен 06.11.2018Физические процессы в базе дрейфового транзистора при низком уровне инжекции. Влияние неравномерного распределения примесей в базе на концентрацию и движение электронов. Определение параметров аппроксимации электрического заряда. Скорость передачи тока.
реферат, добавлен 21.03.2015Микроконтроллер – микросхема, предназначенная для управления электронными устройствами. Разработка устройства для измерения оптимальной скорости движения роботов. Импульс как всплеск электрического напряжения или силы тока в определенном промежутке.
лабораторная работа, добавлен 08.11.2018АЦП параллельного преобразования и расчет тактового генератора. Выбор и описание микросхем, разработка преобразователя уровней и выбор биполярного транзистора. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов и специфика расчета мощности, потребляемой ПУ.
курсовая работа, добавлен 03.12.2014Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Структура и основные режимы работы транзистора и схемы включения. Сочетание диффузии и дрейфа - принцип движения, инжектированных эмиттером носителей. Методика определения зависимости коэффициентов передачи тока от величины напряжения на коллекторе.
учебное пособие, добавлен 21.08.2015- 90. Прибор тиристор
Тиристор – полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми состояниями (включён или выключен). Основные элементы в силовых устройствах электроники. Динисторы и их использование в слаботочных импульсных устройствах. Коэффициенты передачи токов и их расчет.
презентация, добавлен 23.09.2016 Светодиод как полупроводниковый прибор, преобразующий электрический ток в световое излучение. Виды, структура светодиодов, их свойства и характеристики. Понятие, виды, структура органических фотодиодов. Различие LED и OLED на примере телевизора.
контрольная работа, добавлен 24.03.2015Поляризация как взаимное смещение векторов магнитного и электрического поля электромагнитной волны при ее распространении в свободном пространстве. Принцип работы диэлектрического деполяризатора. Особенности приема сигналов с круговой поляризацией.
реферат, добавлен 25.03.2010Измерение энергетических параметров лазерного излучения. Измерение мощности и энергии лазерного излучения. Средства измерения энергетических параметров лазерного излучения. Тепловой и фотоэлектрический методы. Принцип работы пироэлектрических ПИП.
контрольная работа, добавлен 07.05.2010Одномерное распределение зарядов и токов. Функция Грина и выражения для напряженностей электромагнитного поля. Поле излучения тонкой заряженной плоскости. Сила радиационного трения. Взаимодействие электронного листа с плоской электромагнитной волной.
научная работа, добавлен 04.11.2018Влияние неоднородности высокочастотного электрического поля в пространстве взаимодействия на электродинамические и электронные характеристики выходного двухзазорного фрактального резонатора многолучевого клистрода. Особенности фрактальных резонаторов.
статья, добавлен 03.11.2018Викладення процесу розроблення автоматичного вимірювача напруженості електромагнітного поля. Характеристика методів і засобів вимірювання напруженості поля. Математичний аналіз процесів функціонування автоматичного комплексу вимірювання напруженості поля.
автореферат, добавлен 30.08.2014Классификация электронных ключей по способу подачи сигналов. Электронные ключи на полупроводниковых диодах. Схемы ключей на биполярных транзисторах. Логические элементы и логические интегральные схемы. Переход ключа из разомкнутого состояния в замкнутое.
реферат, добавлен 28.06.2015Активная среда и система накачки полупроводникового лазера. Особенность изучения потерь в резонаторе. Главный анализ условий лазерной генерации и порога возбуждения. Исследование основных участков на типичной ватт-амперной характеристике гетеролазера.
курсовая работа, добавлен 25.02.2016Определение для основного закона о соотношении флуктуационного и электрического тока. Расчёт вольт-амперной характеристики прямого тока для полупроводникового диода. Отрицательные обратные связи в уравнении вольт-амперной характеристики вакуумного диода.
контрольная работа, добавлен 10.05.2015Собственные и примесные полупроводники, их сравнительное описание и функциональные особенности. Статистика носителей заряда в полупроводниках. Полимеры: классификация, структура, свойства, применение. Низкокоэрцитивные сплавы для слабых магнитных полей.
контрольная работа, добавлен 09.10.2013