Полупроводниковый p-n-переход
Особенности донорных полупроводников, процесс образования свободного электрона. Характеристика и специфика энергетических уровней примесей, сущность электрического поля и причины его возникновения. Описание движения неосновных носителей зарядов.
Подобные документы
Характеристики полупроводниковых приборов, имеющих два p-n перехода, пригодных для усиления мощности электрических сигналов. Принцип инжекции носителей в базу транзистора. Свойства коллекторного перехода. Отличия кремниевого и германиевого транзисторов.
реферат, добавлен 24.04.2017Анализ общих тенденций, связанных с характером изменения амплитуды поля при перемещении точки наблюдения из дальней зоны в зону Френеля. Определение углового распределения электрического и магнитного полей на различных расстояниях от источника.
статья, добавлен 04.11.2018Особенности разработки информационной технологии мониторинга температурного поля в процессе выращивания монокристаллов полупроводников. Знакомство с основными методами получения монокристаллов. Способы настройки подсистемы виртуального мониторинга.
статья, добавлен 19.06.2018Физические основы полупроводников. Виды пробоев электронно-дырочного перехода. Собственная проводимость полупроводников i-типа. Основные параметры полупроводниковых диодов и их маркировка. Принцип действия биполярного транзистора, схемы включения.
курс лекций, добавлен 04.03.2017Производственный процесс по изготовлению транзисторов, диодов, микросхем, процессоров, микроконтроллеров. Технологические и контрольные операции при производстве полупроводниковых изделий. Использование фотолитографии и литографического оборудования.
презентация, добавлен 21.03.2022Суть электрического тока. Функция распределения Ферми-Дирака. Электропроводность в металлах, диэлектриках и полупроводниках. Зависимость концентрации электронов от энергии. Эффективная плотность состояний в валентной зоне. Рекомбинация электронов и дырок.
лекция, добавлен 26.10.2013Построение математической модели температурного поля в коническом кабеле линии связи. Определение теплопроводности кабеля и описание сопутствующих температурных условий. Общий расчет объемной плотности тепловыделения и моделирование температуры поля.
контрольная работа, добавлен 07.08.2013Попытка выявления механизма создания технологии влияния на политику. Концепция морального шока, алгоритма развития общественных движений. Причины и поводы возникновения движения, сущность эмоциональной привязки, анализ значения национального контекста.
статья, добавлен 21.03.2022История появления полупроводниковой электроники. Замена ламповой аппаратуры на полупроводниковую. Строение полупроводников и основные принципы их действия. Зонная структура алмазоподобных полупроводников. Дырочная примесная электропроводимость.
контрольная работа, добавлен 20.01.2013Применение полупроводниковых приборов в различной радиоэлектронной аппаратуре. Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами. Электронно-дырочный p-n переход. Устройство и принцип действия биполярных транзисторов, схемы их включения.
реферат, добавлен 22.03.2010Комплектный тиристорный преобразователь постоянного тока. Высокие значения напряжённости электрического поля - причина возникновения дуги в вакууме благодаря автоэлектронной эмиссии. Изоляционный промежуток после гашения дуги и смыкания контактов ДУ.
отчет по практике, добавлен 20.03.2023Характеристика и схема полевых транзисторов с управляющим переходом и с изолированным затвором, как полупроводниковых приборов, в которых ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
контрольная работа, добавлен 18.08.2010Феномен проводимости в твердом теле с точки зрения квантовой физики. Зонная теория электропроводности для различных твердых материалов. Функция Ферми-Дирака для равновесного состояния электронов. Разница в проводимости полупроводников и кристаллов.
лекция, добавлен 01.09.2013Необходимость создания в монотроне с однозазорным резонатором заданного распределения высокочастотного электрического поля в пространстве взаимодействия. Применение оптимального распределения поля в четырехзазорном резонаторе многолучевого монотрона.
статья, добавлен 03.11.2018Использование видеокодеками компенсации движения в динамических изображениях. Компенсация движения в современных видеокодеках на фрагментарном уровне. Осуществление выбора опорных блоков для проведения векторного анализа и идентификации типа поля.
статья, добавлен 23.03.2018Физические механизмы объемного заряжения диэлектрика при облучении электронами энергиями от 1 до 10МэВ. Описание вычислительных программ DICTAT и GEANT 4, методы моделирования ускорения частиц. Расчет возникновения электрического пробоя в диэлектрике.
курсовая работа, добавлен 25.06.2017Типы носителей аналоговой фонограммы. Характерные особенности устройств механической записи-воспроизведения аналоговых фонограмм. Значения параметров механической записи на грампластинки. Ранг шумов и помех, которые вносят искажения в аудиофрагмент.
статья, добавлен 30.07.2016История развития и физические основы полупроводниковых приборов. Электронно-дырочный переход. История создания диодов. Ламповые диоды. Диодные выпрямители и детекторы. Три схемы включения биполярного транзистора. Устройство и принцип работы динистора.
реферат, добавлен 15.04.2010- 69. Полупроводники
Сущность понятий "проводник", "диэлектрик" и "полупроводник". Собственная и примесная электрическая проводимость. Контакт двух полупроводников. Вольтамперная характеристика диода. Однополупериодное, двухпериодное выпрямление переменного тока, светодиоды.
презентация, добавлен 24.12.2012 Способ описания степени неупорядоченности активных слоев полупроводниковых приборов. Введение функциональной зависимости энергетического спектра на основе упрощенного построения дефектной решетки материала. Результаты экспериментальных исследований.
статья, добавлен 03.03.2012Эффект изменения проводимости приповерхностного слоя полупроводника на границе с диэлектриком под воздействием поперечного электрического поля. Особенности транзисторов с изолированным затвором со встроенным каналом. Канал проводимости тока в пластине.
доклад, добавлен 24.06.2013Варикап — полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости от значения приложенного напряжения. Авометр - измерительный прибор, применяющийся для проверки компонентов, входящих в состав печатных плат.
отчет по практике, добавлен 12.01.2020Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы, движение электронов в электрических и магнитных полях. Электропроводность полупроводников: дрейфовый и диффузионный токи. Представление о полевых транзисторах и специфика электровакуумных приборов.
учебное пособие, добавлен 11.10.2014Рассмотрение структурных особенностей полупроводникового диода. Проведение расчетов параметров и характеристик выпрямительного диода (напряжение прокола, лавинного пробоя, генерационный ток, диффузная длина неравновесных носителей) и МДП-транзистора.
курсовая работа, добавлен 16.12.2009Особенности использования буферных микросхем приемников (с гистерезисом) и передатчиков двуполярного сигнала для взаимного преобразования уровней интерфейса RS-232C и логики. Условия и особенности применения преобразователей уровней фирмы Maxim и Sypex.
реферат, добавлен 01.11.2016