Особенности эмиссии в нанозеренной структуре полупроводников
Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
Подобные документы
Комплексное исследование электропроводности перовскитовых манганитов на основании модели электропроводности с переменной длиной прыжка, разработанной для сильнолегированных полупроводников. Вычисление микроскопических параметров носителей заряда.
автореферат, добавлен 27.03.2018Возникновение дрейфового и диффузионного токов в полупроводниках. Понятие и структура электронно-дырочного перехода, его особенности при отсутствии внешнего напряжения, при прямом и обратном напряжении. Вольтамперная характеристика p-n-перехода.
реферат, добавлен 27.01.2011Особенность установления концентрационного порога заполнения, при котором начинается заселение возбужденной подзоны размерного квантования. Анализ идентификации доминирующих механизмов рассеяния в сильнолегированных гетероструктурах типа InAs/AlSb.
автореферат, добавлен 01.09.2018Анализ основных этапов развития электроники. Изучение физических эффектов и явлений в области физики твердого тела, физики контактов, квантовой механики и физики тонких пленок. Исследование основных параметров полупроводников, контактов, МДП-структур.
учебное пособие, добавлен 13.09.2017Обусловленность примесной проводимости примесями и дефектами типа избыточных атомов. Возникновение электронной проводимости в полупроводниках с примесью. Особенности изменения положения уровня Ферми при наличии примесных уровней в полупроводниках.
реферат, добавлен 28.07.2015Исследование особенностей формирования высокоэффективных детекторных структур больших размеров с оптимальными электрофизическими и радиометрическими свойствами. Анализ физических механизмов, влияющих на формирование амплитуды энергетических спектров.
автореферат, добавлен 24.05.2018Морфология поверхности исследуемых композитных пленок, а также зависимость модификации их рельефа от вида и концентрации вводимого наполнителя. Обоснование структурирования поверхности с максимальной степенью кристалличности при значениях х=2–6 масс%.
статья, добавлен 21.06.2018Рассмотрение физических механизмов удержания большого количества протонов в ядрах атомов и большого количества электронов в электронных оболочках атомов. Исследование и характеристика формирования структур атома при связанных протон–электрон парах.
статья, добавлен 06.03.2018Применение растровой Оже-электронной спектроскопии для получения исчерпывающей информации о химическом составе, кристаллической структуре, распределении примесей и свойствах твердых тел. Энергоанализаторы Оже-электронов, получение энергетического спектра.
реферат, добавлен 09.01.2016Оценка основных условий образования бозе-конденсата из триплетных экситонов высокой плотности. Исследование особенностей спиновой поляризации на поверхности ферромагнитных металлов и диэлектрических прослойках мультислойных ферромагнитных структур.
автореферат, добавлен 02.03.2018- 36. Полупроводники. Учебное пособие по общепрофессиональной дисциплине "Электротехника и электроника"
Понятие полупроводниковых приборов, история их развития. Признаки и свойства полупроводников. Структура элементарных частиц: электрона и протона. Причины появления у кремния полупроводниковых свойств. Вольт-амперные характеристики электронных компонентов.
статья, добавлен 04.01.2021 Электрофизические и фотоэлектрические свойства диодных структур. Изучение влияния водорода на электрические и фотоэлектрические характеристики структур на основе пористого кремния. Влияние водорода на фотоответ в фотовольтаическом и фотодиодном режимах.
автореферат, добавлен 15.02.2018Фотолитография и основы оптики. Проекционная, контактная печать и печать с зазором. Характеристики электронно-лучевых установок, поглощение излучения высоких энергий. Радиационные повреждения приборов. Рентгеновское и ионно-лучевое экспонирование.
курсовая работа, добавлен 28.08.2013Изучение экспериментальной установки, позволяющей измерять осциллограмму тока мотора и рассчитывать ее спектр. Анализ принципа работы микроконтроллера. Особенности идентификации наличия износа и определения режимов деятельности асинхронного двигателя.
статья, добавлен 29.06.2017Полупроводники как вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное положение между металлами и диэлектриками: знакомство с видами, общая характеристика структуры. Анализ схемы энергетических состояний электронов.
контрольная работа, добавлен 21.07.2013Рассмотрение механизмов акустической эмиссии и параметров, применяемых для изучения процессов пластической деформации и разрушения материалов. Изучение влияния исходной структуры металла на ее параметры. Описание механизма усталостного роста трещины.
курсовая работа, добавлен 23.02.2016Описание взрывной электронной эмиссии как эмиссии с поверхности металла при его переходе из твердой фазы в газообразную в результате локальных взрывов микроскопических областей эмиттера. Анализ роли взрывной эмиссии электронов в физических процессах.
презентация, добавлен 08.06.2015Измерение важнейших характеристик лазеров ближнего инфракрасного видимого диапазона на основе гетероструктур из полупроводников класса А и В. Принципы работы инжекционных устройств. Обзор современных структур лазеров, их параметры и методы измерения.
учебное пособие, добавлен 12.05.2014Размещение площадки для строительства газотурбинной электростанции (ГТЭС) непосредственно на месторождениях природного газа. Спектр применения ГТЭС. Общая схема генерального плана. Подсобно-производственные и вспомогательные здания и сооружения ГТЭС.
реферат, добавлен 27.03.2013Закономірності мікропластичної деформації ковалентних кристалів при індентації і одноосьовому стисканні в температурній області крихкого руйнування. Розробка методики деформування приповерхневих шарів за допомогою імпульсного лазерного опромінення.
автореферат, добавлен 28.12.2015Экспериментальное изучение физических механизмов формирования функции распределения по энергиям основных ионов плазмы в центральных областях токамаков. Исследование физических механизмов формирования радиальных профилей ионной температуры дейтерия.
автореферат, добавлен 18.11.2018Использование полупроводников для усиления и генерации электрических колебаний. Понятие биполярного транзистора как полупроводникового прибора с двумя взаимодействующими переходами и тремя или более выводами. Основные виды конструктивного оформления.
лабораторная работа, добавлен 16.01.2014Дослідження впливу електричної компоненти надвисокочастотного поля на спектр електронного спінового резонансу домішки Mn у кристалах GaAs. Розрахунок електронної структури та параметрів надтонкої взаємодії для ряду дефектів у SiC і кремнієвих матеріалах.
автореферат, добавлен 25.08.2014Явление эмиссии оже-электронов при возбуждении внутренних электронных уровней первичным пучком. Зависимость вероятности проявления эффекта от атомного номера исследуемого элемента. Главный анализ обоснования необходимости наличия сверх высокого вакуума.
контрольная работа, добавлен 20.10.2014Вивчення за допомогою електричних вимірювань і структурного аналізу впливу низькотемпературної деформації на електричні властивості кристалів германію. Аналіз комп’ютерної методики для розрахунку напружень у зразках, що виникають при дії деформації.
автореферат, добавлен 28.08.2014