Особенности эмиссии в нанозеренной структуре полупроводников
Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
Подобные документы
Рассмотрение физических основ электропроводности полупроводников. Характеристика силовых диодов. Определение особенностей лавинных диодов и стабилитронов. Изучение динамического режима работы транзисторов. Исследование общих сведений о тиристорах.
курс лекций, добавлен 28.08.2017Обзор электронных полупроводниковых приборов, используемых в системах управления производственными процессами. Аналоговые и цифровые электронные устройства. Принцип построения аналоговых, цифровых интегральных микросхем, применяемых в системах управления.
статья, добавлен 21.10.2016Вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Особенности однофазных схем выпрямления. Изучение параметрического стабилизатора напряжения. Основные отношения между токами в транзисторе. Рассмотрение параметров дифференциального каскада.
курс лекций, добавлен 25.02.2014Анализ факторов, определяющих проводимость полупроводников. Классификация полупроводниковых материалов. Особенности применения неорганических кристаллических полупроводниковых материалов. Основные электрофизические свойства полупроводниковых материалов.
реферат, добавлен 23.12.2015Определение понятия полупроводников – кристаллов, электропроводимость которых лежит между электропроводимостью диэлектриков и проводников. Ознакомление с принципом действия биполярных транзисторов. Анализ физических основ работы полевого транзистора.
шпаргалка, добавлен 10.02.2017Понятие электрического тока как переноса электрических зарядов. Характеристика основных структурных элементов атома. Особенности и порядок использования принципа Паули. Сущность туннельного эффекта и принцип действия функции распределения Ферми-Дирака.
лекция, добавлен 29.10.2013Обоснование актуальности совершенствования средств измерения химического состава газовых сред, в условиях экологических параметров жизнедеятельности человека. Обзор количественной оценки хемосорбционного взаимодействия с поверхностью полупроводников.
реферат, добавлен 03.08.2013- 58. Численное моделирование процессов формирования электронных пучков в аксиально-симметричных системах
Общая методика моделирования процессов формирования электронных пучков в аксиально-симметричных системах, апробированная в численных экспериментах в заданных интервалах напряжений на фокусирующих электродах и ее реализация в электронно-лучевых приборах.
статья, добавлен 13.10.2016 Понятие полупроводниковых материалов. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Механизм формирования и способы изменения состояния n-p перехода. Особенности расчета схем с нелинейным элементом - диодом. Расчет параметрического стабилизатора.
методичка, добавлен 21.10.2014Анализ критериев вторичного пробоя биполярных транзисторов с полосковой топологией эмиттера. Методика проведения неразрушающих испытаний. Неустойчивость однородного токораспределения по структуре. Разогрев локальной области транзисторной структуры.
статья, добавлен 19.08.2013Общая информация о структуре электрона. Сущность процесса работы плазмоэлектролитической ячейки. Первые предположения (постулаты) о структуре электрона, его движении по проводам. Анализ электролитического процесса, протекающего в электролитической ячейке.
реферат, добавлен 07.10.2010Рассмотрение акустических эффектов в пьезоэлектрических полупроводниках. Анализ влияния электрического поля на поглощение и усиление звука. Происхождение нелинейных взаимодействий в диэлектрике. Проведение опытов по усилению тепловых звуковых флуктуаций.
доклад, добавлен 07.06.2010Анализ электрофизических свойств полупроводников. Проведение исследования устройства и принципа действия биполярных транзисторов. Особенность изоляции элементов в монолитных интегральных микросхемах. Характеристика нелинейных искажений в усилителях.
курс лекций, добавлен 15.09.2017Классификация полупроводниковых материалов, их особенности и основные требования при применении. Собственная и примесная проводимость. Применение полупроводниковых материалов, приборы, основанные на их действии. Тепловые сопротивления, термоэлементы.
курсовая работа, добавлен 25.09.2014Экспериментальное подтверждение наличия волновых свойств у электрона. Определение длины волны электрона и межплоскостного расстояния в графите. Использование электронной пушки в качестве источника исследуемых микрочастиц. Расчет брэгговского угла.
лабораторная работа, добавлен 07.09.2015Исследование динамики заполнения электронами подзон размерного квантования в гетероструктурах при низких температурах и больших магнитных полях. Изучение механизмов возникновения амплитудно-частотной модуляции осцилляций поперечного магнитосопротивления.
автореферат, добавлен 01.09.2018Дослідження перебудови локалізованих електронних та діркових рівнів у напружених сферичних та циліндричних квантових точках різних розмірів під впливом самоузгодженої деформації. Аналіз матеріалу квантової точки, оточуючої матриці та зовнішнього тиску.
автореферат, добавлен 30.08.2014Характеристики, особенности и процесс возникновения мартенсита. Энергетическое отличие диэлектриков oт полупроводников и металлических проводников c точки зрения зонной теории твepдoгo тела. Описание зависимости магнитных свойств ферритов от состава.
реферат, добавлен 21.04.2016Механизмы формирования механических напряжений в пленках и структурах контактов. Механизмы повышения воспроизводимости и стабилизации параметров приборных структур на основе GaAs, GaP и InP с барьером Шоттки, сформированным аморфными пленками TiBx.
автореферат, добавлен 23.05.2018Классический метод измерения сопротивления при помощи резистивного моста. Вычисление удельного сопротивления, температурного коэффициента сопротивления металла. Определение энергии активации примесей в полупроводнике. Закон Ома и формула Друде-Лоренца.
лабораторная работа, добавлен 03.10.2011Анализ основных элементов физики полупроводников. Зависимость электродвижущей силы Холла от размеров пластины. Схемы включения биполярных транзисторов. Сущность электронно-лучевых и вакуумно-люминесцентных индикаторов. Изучение светоизлучающих диодов.
лекция, добавлен 08.08.2020Исследование влияния температуры на вид фазовых диаграмм квазиодномерного антиферромагнетика. Выявления всех возможных стабильных и метастабильных магнитных структур. Моделирование неравновесного фазового перехода ферромагнетик-антиферромагнетик.
статья, добавлен 13.11.2018Дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик при низьких температурах в полях з індукцією до 14 Тл. Наявність осциляцій Шубнікова-де-Гааза в поперечному і в поздовжньому магнітоопорі.
статья, добавлен 29.09.2016Характеристика, возникновения гальваномагнитных явлений - эффектов Холла, Эттингсгаузена, термомагнитных – Риги-Ледюка, Нернста-Эттингсгаузена. Процесс накопления носителей заряда. Температурная зависимость подвижности носителей заряда в полупроводнике.
методичка, добавлен 26.05.2015Свойства электронных пучков и их применение. Отклонение электронных потоков, идущих от Солнца, в магнитном поле Земли. Сущность и принцип работы электронно-лучеовй трубки - прибора для исследования быстропеременных процессов в электрических цепях.
презентация, добавлен 25.03.2016