Особенности эмиссии в нанозеренной структуре полупроводников
Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
Подобные документы
Энергетическая структура полупроводников. Квантовые точки, нити и ямы. Определение ширины запрещенной зоны из температурной зависимости электропроводности полупроводников. Исследование спектральной зависимости фоточувствительности полупроводников.
реферат, добавлен 26.10.2015Характеристика особенностей увеличения электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения. Рассмотрение контакта электронного и дырочного полупроводников. Исследование основных способов изменения сопротивления запирающего слоя.
реферат, добавлен 30.07.2015История открытия и использования полупроводников. Анализ причин зависимости электрического сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Зонная теория проводимости. Влияние примесей на электропроводность материала. Применения полупроводников.
реферат, добавлен 08.03.2010Признаки полупроводников и их отличие от металлов и диэлектриков. Строение и электрические свойства полупроводников. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Применение полупроводниковых приборов: диоды, фотодиоды, транзисторы, термисторы.
реферат, добавлен 30.10.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Энергетические диаграммы примесных полупроводников. Концентрация носителей заряда и удельная проводимость, факторы, влияющие на нее. Инвертирующий усилитель: схема, принцип работы, коэффициент усиления, условия и факторы эффективного применения.
контрольная работа, добавлен 11.03.2015Дослідження властивостей багатошарових InxGa1-xAs/GaAs наноструктур, InAs/AlSb гетероструктур з квантовими ямами. Модель процесу формування квантових точок, що впливають на зміну оптичних спектрів фотолюмінесценції, розсіювання світла цих гетероструктур.
автореферат, добавлен 27.08.2014Классификация полупроводников и структур на их основе. Применение гетероструктур в электронике. Гетеропереходные биполярные транзисторы на основе GaAs. Типы взаимодействия между фотонами и электронами в твердом теле. Структура полупроводникового лазера.
презентация, добавлен 10.12.2021Изучение терминов "элементная база", "электронные приборы". Достоинства и недостатки полупроводников. История развития техники электронных приборов. Особенности конструкции диффузионно-сплавного транзистора. Общие свойства электронно-дырочных переходов.
шпаргалка, добавлен 01.04.2017Этапы совершенствования полупроводниковой технологии для решения задач микроминиатюризации и интеграции электронной аппаратуры. Особенности примесной проводимости, эффект компенсации доноров и акцепторов. Измерение удельного сопротивления полупроводников.
курсовая работа, добавлен 03.06.2016Знакомство с основными методами определения зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры. Анализ электрических свойств твердых тел. Особенности экспериментальной установки для измерения сопротивлений проводника и полупроводника.
реферат, добавлен 17.05.2017Основы теории электропроводности полупроводников. Дрейфовый, диффузионный ток. Контактные явления. Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия. Полупроводниковые диоды, стабилитроны и стабисторы. Анализ принципа действия биполярного транзистора.
учебное пособие, добавлен 21.09.2018Рассмотрение энергетических зон полупроводников. Определение генерации и рекомбинации носителей заряда. Исследование температурных зависимостей подвижности носителей заряда и удельной проводимости. Расчет времени жизни неравновесных носителей заряда.
презентация, добавлен 29.08.2015Общие сведения о полупроводниках, распределение электронов по энергиям в атоме твердого тела. Кристаллическая решётка. Плоская модель идеальной решётки полупроводника. Понятие примесных полупроводников, их электропроводность и энергетические диаграммы.
методичка, добавлен 13.06.2011Полупроводники как вещества с электронной электропроводностью, удельные сопротивления которых при нормальной температуре занимают промежное расположение среди металлов. Анализ особенностей влияния внешних факторов на электропроводность полупроводников.
статья, добавлен 05.05.2022Расчет электропроводности металлов на основе квантовой теории. Собственная и примесная проводимость полупроводников. Сущность электронно-дырочного перехода как граница соприкосновения двух полупроводников. Термоэлектрические явления по зонной теории.
дипломная работа, добавлен 14.08.2018Эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник. Энергия активации проводимости полупроводниковых переключателей. Свойства полупроводников, электропроводность металлических сплавов. Строение выпрямителей, усилителей и принцип их действия.
реферат, добавлен 10.01.2018Электрические свойства полупроводников. Правила включения транзистора в электрическую цепь. Изменение сопротивления полупроводников при нагревании и охлаждении. Устройство и действие электрического термометра сопротивления. Односторонняя проводимость.
курсовая работа, добавлен 31.03.2011Электрический ток - перенос электрических зарядов. Концентрация электронов в зоне проводимости. Электропроводность зоны проводимости полупроводников. Влияние примесей на электропроводность. Скорость электрона как производная от энергии по импульсу.
лекция, добавлен 30.07.2013Кристаллическая решетка полупроводников. Изучение периодичности расположения атомов в пространстве. Индексы узлов направлений и плоскостей в кристалле. Возникновение сразу двух точечных дефектов. Полное или частичное испарение атомов с поверхности.
статья, добавлен 04.12.2018Исторические сведения об изучении тока и электричества. Физика полупроводников. Собственная проводимость полупроводников. Зонная теория проводимости. Приместная проводимость. Устройство и принцип действия полупроводниковых приборов. Диод и стабилитрон.
реферат, добавлен 03.11.2008- 22. Генератор Ганна
Периодические колебания силы тока в цепи. Появление отрицательного дифференциального сопротивления под воздействием сильного электрического поля. Генерация и усиление СВЧ-колебаний. Требования к зонной структуре полупроводников. Открытие эффекта Ганна.
презентация, добавлен 16.12.2015 Принцип работы прибора неразрушающего контроля электрофизических параметров полупроводников. Принципы построения генератора управляемого напряжением. Выбор и разработка квадратичного детектора. Методика измерения удельного сопротивления кристалла кремния.
дипломная работа, добавлен 30.05.2014Физические основы электронных приборов и понятие полупроводников, применение акцепторной примеси. Электрическое поле, создаваемое пространственными зарядами и возникновение прямого тока. Вольт-амперная характеристика электронно-дырочного перехода.
контрольная работа, добавлен 23.01.2015Определение ширины запрещенной зоны полупроводников по краю собственного поглощения. Правила измерения интенсивности поглощенного излучения. Вычисление температурной зависимости электропроводности полупроводников и металлов. Расчет энергии упругости.
лабораторная работа, добавлен 19.12.2015