Особенности эмиссии в нанозеренной структуре полупроводников
Экспериментальное исследование и теоретический анализ возможных механизмов автоэмиссии в нанозеренной структуре наиболее применяемых полупроводников (Si, GaAs, InAs, InSb). Модельная схема электронных процессов. Электронный спектр исследуемых структур.
Подобные документы
Свойства электронных пучков и их применение. Отклонение электронных потоков, идущих от Солнца, в магнитном поле Земли. Сущность и принцип работы электронно-лучеовй трубки - прибора для исследования быстропеременных процессов в электрических цепях.
презентация, добавлен 25.03.2016Основные методы измерения эффекта Холла, определение типа концентрации и подвижности носителей заряда в полупроводниковых образцах. Параметры легирующей примеси по температурной зависимости. Особенности эффекта в классически сильных магнитных полях.
лабораторная работа, добавлен 29.11.2010Исследование дисперсионных и энергетических свойств плазменных и объемных мод в зависимости от положения дефектного слоя внутри периодической структуры. Характеристика и методика определения спектра и плотности потока энергии электромагнитных волн.
статья, добавлен 14.07.2016Исследование возможности применения квазигомогенного приближения для описания свойств дисперсных систем. Анализ использования статистического полимерного метода на основе рассмотрения усредненных структур всех возможных макромолекул одинакового веса.
статья, добавлен 29.06.2017Особенности методологии проектирования оптико-электронных систем. Блочно-иерархический метод проектирования. Компьютерное моделирование и его роль при проектировании оптико-электронных систем. Приборы для работы в условиях тропического климата.
курсовая работа, добавлен 17.11.2018Исследования в области полупроводников и их значение для радиотехники, электротехники, автоматики, приборостроения, энергетики. Вопрос о характере движения электронов в полупроводнике. Свойства периодически повторяющейся элементарной ячейки кристалла.
статья, добавлен 20.09.2009- 82. Полупроводники
Исторические сведения появления полупроводников. Электрическая и электронная проводимость металлов, движение электронов. Зависимость сопротивления проводника от температуры. История открытия сверхпроводимости. Сущность понятия "ковалентная связь".
контрольная работа, добавлен 19.04.2013 Анализ существования фундаментальной числовой характеристики качественной обособленности ядра в целостной, неделимой структуре атома дальнодействия. Вычисления структуры множества простых чисел по специальной программе. Постоянная тонкой структуры.
статья, добавлен 03.12.2018Понятие и общие сведения о полупроводниках, их классификация и типы, сферы практического применения. Описание и характер собственной и примесной проводимости, влияющие факторы. Оценка электропроводности низкомолекулярных органических полупроводников.
курсовая работа, добавлен 23.05.2015Прозрачный слой на поглощающей теплопроводной подложке. Анализ основных процессов развития и релаксации ТК углубления. Схема развития и релаксации углубления в случае нетеплопроводной эбонитовой подложки и переменной интенсивности индуцирующего пучка.
статья, добавлен 17.06.2018Проведение исследования основных физико-химических и физических свойств веществ, образующих исследованные системы твердых растворов. Создание для магнитоэлектроники эффективных способов синтеза новых высокотемпературных ферримагнитных полупроводников.
дипломная работа, добавлен 02.08.2018Взаимодействие заряженных тел. Сущность закона Кулона. Понятие напряженности электрического поля. Расчет количества теплоты на проводнике с сопротивлением. Вольтамперная характеристика диода. Классификационные признаки проводимости полупроводников.
краткое изложение, добавлен 14.11.2010Область применения радиоэлектронного компонента из полупроводникового материала, позволяющего входным сигналом управлять током в электрической цепи. История сознания полупроводников и открытия транзисторного эффекта. Классификация токовых триодов.
реферат, добавлен 03.11.2014Температурная зависимость подвижности и проводимости носителей заряда. Характеристики основных электрофизических свойств полупроводников Ge и Si. Мелкие акцепторные и донорные уровни. Спектральный диапазон оптической прозрачности чистого кремния.
курсовая работа, добавлен 10.04.2015Установление количественных представлений о пространственно-временном распределении температуры в нагреваемом объекте под СВЧ микромодификатором с коаксиальной апертурой при СВЧ локальном воздействии. Обоснование оптимальных режимов его СВЧ питания.
статья, добавлен 19.06.2018Температурная зависимость подвижности носителей заряда. Основные сведения о кристаллическом строении. Получение и выращивание монокристаллов. Осаждение эпитаксиальных слоев кремния. Плюсы и минусы методов исследования проводимости полупроводников.
курсовая работа, добавлен 08.07.2019Изучение управления электрическим моментом в активных полупроводниках ЭЛК-частиц и диполях. Анализ свойств атомов электронной ловушки донорной природы. Обзор механизма преобразований полупроводников. Характеристика сдвига термостимулированных токов.
реферат, добавлен 31.07.2013Полупроводники как особый класс кристаллов со многими физическими свойствами, отличающими их как от металлов, так и от диэлектриков. Принципы функционирования электрического тока в них. Полупроводниковые приборы: типы, принципы действия, назначение.
реферат, добавлен 07.05.2014Характеристика результатов исследований реологических свойств клеев, применяемых для наклеивания этикеток. Построение кривых течения в логарифмических координатах и описание реологических свойств исследуемых жидкостей степенным законом Оствальда-де-Виля.
статья, добавлен 30.10.2010Контакт двух полупроводников одного вида с различными типами проводимости (электронным и дырочным). Несимметричный p-n переход. Область применения диодов. Прямое и обратное смещение p-n перехода. Способ образования интегрального полупроводникового диода.
презентация, добавлен 09.07.2015Понятие проводников, полупроводников и изоляторов, их строение и проводимость электрического тока. Дырочная и примесная электропроводимость, виды примесей, полупроводниковые приборы (транзистор, термистор, болометр, фоторезистор, светодиод) и их свойства.
реферат, добавлен 26.04.2014Описание фотодиодов, принцип работы и электрические характеристики устройства. Анализ фотодиодов на основе гетероперехода. Виртуальный инструмент для управления экспериментальной установкой: программное обеспечение LabVIEW, монохроматор ML 44 LabVIEW.
дипломная работа, добавлен 14.09.2018Полупроводники как особый класс веществ, история и направления их исследования учеными. Собственная проводимость полупроводников и приборы для ее измерения. Зонная теория проводимости: содержание, преимущества и недостатки. Примесная проводимость.
реферат, добавлен 18.04.2012Открытие Лосевым электромагнитных колебаний и их усиление в полупроводниковом кристаллическом детекторе. Создание прибора "кристадин" на контактной паре металлического острия и кристалла цинкит. Изучение P-N переходов и серийное производство транзисторов.
реферат, добавлен 02.12.2011Использование фотоэлектрических преобразователей энергии для питания магистральных систем электроснабжения и различного оборудования на космических летательных аппаратах. Принципы работы ФЭП, характеристика полупроводников, преимущества и недостатки.
реферат, добавлен 05.06.2010