Влияние ионизирующего излучения на свойства скрытых оксидов КНИ-структур
Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
Подобные документы
- 26. Применение ионизирующего излучения для ускоренных испытаний на надежность МОП интегральных микросхем
Прогнозирование отказов металл-оксид полупроводников интегральных микросхем в период старения в условиях воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения на основе использования ускоренных испытаний при повышенной температуре. Результаты испытаний.
диссертация, добавлен 02.08.2018 - 27. Управление уровнем бокового и заднего излучения антенн на основе применения импедансных структур
Изучение возможности использования импедансных покрытий для уменьшения уровня бокового и заднего излучения антенной системы. Применение спадающего амплитудно-фазового распределения в качестве самостоятельной меры. Условие возбуждения поверхностных волн.
статья, добавлен 03.11.2018 Расчет энергомощностных характеристик для p–n-переходной структуры и структуры с барьером Шоттки при воздействии импульсного электромагнитного излучения. Оценка мощности теплового поражения по падающей внешней мощности и рассеиваемой внутренней мощности.
статья, добавлен 03.11.2018Гетероструктуры, их состав и материалы. Технология светодиодных структур. Конструкции светодиодов, их характеристики, фотометрические и электротехнические параметры. Постепенное уменьшение мощности светодиодов за счет деградации, причины её возникновения.
лекция, добавлен 17.08.2014- 30. Разработка технологического маршрута очистки полупроводниковых пластин для микроэлектронных изделий
Факторы влияния на электрические и оптические параметры электронных полупроводниковых приборов и их стабильность. Основные этапы очистки кристаллов в зависимости от вида загрязнения. Анализ проблем обработки поверхности пластин полупроводников.
статья, добавлен 03.06.2016 Результаты моделирования физических процессов, протекающих в кремниевых структурах с барьером Шоттки при воздействии сверхвысокочастотного электромагнитного излучения. Энергомощностные и температурные характеристики структур в широком диапазоне.
статья, добавлен 03.11.2018Методика измерения тока потребления инверторов. Способ измерения характеристик кольцевого генератора. Влияние радиации на параметры КМОП транзисторов. Определение параметров Spice модели. Моделирование схем инвертора и кольцевого генератора в LTspice.
курсовая работа, добавлен 28.11.2019Аналіз властивостей межі розділу шаруватої структури. Визначення впливу межі розділу на вибір технології формування швидкодіючих структур ВІС на основі арсеніду галію та високоефективних приладних структур. Технологія формування структур приладів.
статья, добавлен 22.03.2016Измерение энергетических параметров лазерного излучения. Измерение мощности и энергии лазерного излучения. Средства измерения энергетических параметров лазерного излучения. Тепловой и фотоэлектрический методы. Принцип работы пироэлектрических ПИП.
контрольная работа, добавлен 07.05.2010Использование структур металл-диэлектрик-полупроводник - один из основных механизмов, позволяющих контролировать величину интегральной поглощенной дозы радиационного излучения. Выражение, которое применяется для определения суммы плотностей токов.
статья, добавлен 27.11.2018Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 07.07.2016Основные направления в нанотехнологии планарных одномерных проводников. Угол хиральности и диаметр нанотрубок. Химическое осаждение из газовой фазы. Разработка режима наблюдения различного типа нанотрубок на подложках. Токовая активация миграции атомов.
автореферат, добавлен 25.11.2013Понятие и структура полупроводникового диода с электронно-дырочным переходом. Назначение и характеристика выпрямительных, высокочастотных (универсальных) и импульсных диодов. Основные параметры стабилитронов. Свойства и принцип работы варикапов.
методичка, добавлен 04.10.2012Основные тенденции развития поглощающих материалов. Результаты расчета диаграмм рассеяния и отражения многослойных структур. Расчет оптимальных параметров структур для наблюдения наибольшего эффекта поглощения. Анализ теоретических полученных расчетов.
статья, добавлен 29.07.2017Разработка многокластерной нанотехнологической установкт с целью производства и исследования топологий структур микроэлементов. Комбинация суперкомпьютера с комплексом программного обеспечения для расчета параметров микроэлементов и интегральных структур.
статья, добавлен 16.11.2018Воздействие ионизирующих излучений - фактор, ухудшающий параметры элементов электронных схем. Соотношение от дозы облучения при изменении порогового напряжения при разных значениях напряжения на затворе полевого транзистора с изолированным каналом.
дипломная работа, добавлен 05.08.2018Отражение волн двух ортогональных поляризаций от лесного покрова. Метод определения электрофизических параметров и средней высоты леса. Использование векторной антенны для измерения значений коэффициентов отражения компонентов электромагнитного поля.
статья, добавлен 03.11.2018Изучение активных полупроводниковых приборов, управляемых электрическим полем. История создания полевых транзисторов и их классификация. Исследование приборов с управляющим p-n-переходом и изолированным затвором. Схемы включения и область применения.
реферат, добавлен 14.05.2015Закономерности внешнего и внутреннего фотоэффекта. Принцип действия, устройство и конструкция фотоэлементов, фоторезисторов, фотодиодов и гибридных приемников. Параметры и характеристики фотоэлектрических приемников излучения, аспекты их применения.
учебное пособие, добавлен 07.08.2013Классификация полупроводниковых диодов по функциональному назначению: выпрямительные и специальные. Вольтамперная характеристика, основные параметры и допустимые режимы использования диодов, понятие пробоя тока. Свойства германиевых и кремниевых приборов.
реферат, добавлен 27.12.2010Параметры и виды полупроводниковых и гибридных интегральных микросхем. Создание плёночных ИМС. Основные характеристики микроэлектронных изделий. Методы, применяемые для формирования конфигураций проводящего, резистивного и диэлектрического слоев.
реферат, добавлен 22.03.2013Основные характеристики антенн и их классификация. Излучение антенных решеток. Анализ перспективных антенных структур. Возможные методы синтеза антенных фрактальных структур. Свойства фрактальных антенн. Примеры фрактальных антенн и их применение.
курсовая работа, добавлен 07.05.2012Использование электронно-лучевой технологии для процессов нанесения тонкопленочных слоев. Исследование особенностей современных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Схема применения электронно-лучевого нагрева при вакуумном напылении.
контрольная работа, добавлен 26.05.2012Анализ особенностей создания инверсной населенности в полупроводниках. Характеристика идеальной зонной схемы для гетероперехода в условиях равновесия. Энергетическая диаграмма активных структур инжекционного лазера. Спектр излучения лазерного диода.
курсовая работа, добавлен 22.12.2014Ознакомление с результатами математического моделирования выбора источника излучения для дифракционного контроля регулярных рельефных структур. Разработка помехоустойчивой оптоэлектронной системы дифракционного контроля с модуляцией лазерного излучения.
статья, добавлен 29.01.2019