Влияние ионизирующего излучения на свойства скрытых оксидов КНИ-структур
Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
Подобные документы
Главная особенность применения слаболегированного материала типа кремния или арсенида галлия в линейных полупроводниковых резисторах. Основная сущность варистора и терморезистора. Проведение исследования деформационной характеристики тензорезистора.
лекция, добавлен 23.09.2016Рассмотрение возможности создания спектрометра высокого разрешения терагерцового (ТГц) диапазона. Использование наноструктурированных полупроводниковых и сверхпроводниковых устройств в режиме прямого детектирования в качестве приемника ТГц-излучения.
статья, добавлен 30.10.2018Уникальная технология получения монокремния. Структура части высоковольтного N-МОП тиристора. Характеристики транзистров с частичным обеднением кремния. Возможности синтеза полупроводниковых многослойных тонкоплеточных структур в космическом вакууме.
презентация, добавлен 24.05.2014Рассматриваются вопросы проектирования формирователя сигналов на выходе детекторов ионизирующего излучения с высокой временной разрешающей способностью. Реализация формирователя сигналов гауссовой формы выполнена по схеме формирующего фильтра сигналов.
статья, добавлен 15.11.2018Рассмотрение вопроса уменьшения влияния близкорасположенных металлических конструкций на параметры антенн УКВ-диапазона посредством разрыва токов, протекающих по этим конструкциям. Создание на поверхности конструкций сосредоточенных индуктивностей.
статья, добавлен 02.04.2019Свойства и виды (простые и сложные) полупроводниковых материалов. Основные методы промышленного получения монокристаллов соединений: метод Чохральского, направленная кристаллизация. Классификация и общая характеристика полупроводниковых соединений.
доклад, добавлен 15.10.2011Классификация и механизмы отказов транзисторов и диодов, причины выхода их из строя. Зависимость интенсивности отказов полупроводниковых приборов от условий их применения. Выбор щадящего режима работы устройств для увеличения надежности оборудования.
контрольная работа, добавлен 25.11.2012Области применения полупроводниковых диодов в зависимости от их вольтамперных характеристик и параметров. Возникновение лавинного пробоя в p-n-переходах при невысокой степени легирования. Особенности строения и система обозначения биполярного транзистора.
курсовая работа, добавлен 06.08.2013Закономерности и особенности изменения характеристик излучения и входных характеристик логарифмической Z антенны в зависимости от её геометрических параметров. Инженерная методика разработки широкополосных логопериодических антенн линейной поляризации.
статья, добавлен 20.08.2013Проектирование модели, позволяющей учитывать процесс сканирования подложки лазерным лучом с учетом формы сфокусированного пятна и многослойности обрабатываемой структуры. Моделирование структур с различными физическими и топологическими параметрами слоев.
статья, добавлен 29.06.2017Характеристика и классификация приемников излучения, используемых в оптико-электронных приборах, их паспортизация и пересчет параметров. Одноэлементные координатные (позиционно-чувствительные), развертывающие и многоэлементные приемники излучения.
монография, добавлен 17.11.2018Создание криоэлектронных информационно-измерительных приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников. Разработка технологии формирования многокомпонентных пленок и слоистых структур, используемых в ВТСП с учетом свойств исходных материалов.
автореферат, добавлен 27.03.2018Описание и базовые характеристики пика факторов сигнала OFDM. Расчет нормы на ширину полосы радиочастот и внеполосные излучения радиопередатчиков гражданского применения. Определение основных параметров радиопередатчиков; технические требования к ним.
дипломная работа, добавлен 28.05.2018Маркировка резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных микросхем. Определение, классификация, основные характеристики и параметры усилителей. Рассмотрение влияния обратных связей на характеристики и параметры усилителя.
шпаргалка, добавлен 01.10.2017Исследование основных параметров и характеристик полупроводниковых выпрямительных диодов. Определение источников полупроводникового диода и физических процессов происходящих в нем. Устройство и принцип действия биполярного бездрейфового транзистора.
лабораторная работа, добавлен 10.05.2016Рассмотрение кристаллических структур углерода. Анализ свойств в форме нанотрубок. Изучение зависимости от геометрии. Использование в качестве эмиттеров. Применение в атомно-силовых микроскопах. Разработка нанотранзисторов на базе ветвящихся структур.
статья, добавлен 21.09.2015Механизм электропроводности в твердых телах. Исследование температурной зависимости удельной проводимости полупроводниковых материалов. Расчет термической ширины запрещенной зоны полупроводников. Определение температурного коэффициента проводимости.
лабораторная работа, добавлен 30.06.2016Области применения и технические характеристики датчиков температуры. Особенности полупроводниковых температурных датчиков. Преимущества и недостатки датчиков на основе диодов и транзисторов, терморезисторов и пленочных полупроводниковых приборов.
реферат, добавлен 06.08.2010Перспективы внедрения разнообразных технологий и протоколов передачи данных, в том числе и в сетях связи силовых структур. Применение интегрированных решений на основе универсальных телекоммуникационных платформ. Анализ рынка коммутационного оборудования.
статья, добавлен 15.08.2020Прямой цифровой синтез, его схема, область применения, значение. Параметры цифро-аналоговых преобразователей: статистические (разрешающая способность, погрешность полной шкалы и смещения нуля, нелинейность) и динамические. Шумы и причины их появления.
реферат, добавлен 14.02.2009Влияние кремниевой подложки на частотные показатели биполярного транзистора. Конструктивные средства снижения ее влияния на параметры аналоговых блоков на основе триода. Зависимость напряжения помехи в подложке от частоты и расстояния до источника помехи.
статья, добавлен 29.05.2017Виды и принцип работы и режимы биполярных транзисторов. Конкретизация применения полупроводниковых материалов в современной электронике. Рассмотрение ключевых параметров и характеристик биполярных транзисторов, их функций в схемах усиления и коммутации.
презентация, добавлен 25.03.2024Изучение схемы практического применения электрического пробоя p-n-перехода для стабилизации напряжения. Характеристика параметров, описание устройства и действие стабилитронов - полупроводниковых диодов, работающих при обратном смещении в режиме пробоя.
реферат, добавлен 21.07.2013Влияние технологических параметров приготовления на электрические и структурные свойства эпитаксиальных пленок, полученных из высокотемпературного сверхпроводника YBa2Cu3O7-x распылением. Параметры химической и термической обработки NdGaO3 подложек.
статья, добавлен 03.11.2018Базовая станция в радиосвязи как системный комплекс приёмопередающей аппаратуры, осуществляющей централизованное обслуживание группы абонентских устройств. Краткое описание, анализ и область применения антенной системы базовой станции в сотовой связи.
курсовая работа, добавлен 15.03.2015