Влияние ионизирующего излучения на свойства скрытых оксидов КНИ-структур

Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.

Подобные документы

  • Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.

    презентация, добавлен 31.10.2020

  • Селенид цинка как один из типичных представителей соединения А2В6, его использование в качестве активной среды лазеров, экранов цветного телевизора, оптических модуляторов света и других оптоэлектронных приборов. Свойства исследуемых гетероструктур.

    статья, добавлен 30.12.2016

  • Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.

    реферат, добавлен 22.02.2009

  • Розроблення конструкції вертикального МОН-транзистора керованого малопотужним сигналом з р-каналом, який дозволяє отримати високу густину упаковки елементів. Оптимізація технологічних методів одержання перемикальних МОН-структур з подвійною дифузією.

    автореферат, добавлен 04.03.2014

  • Методы расчета установившихся и переходных процессов в электрических цепях. Применения электротехники в инженерной практике. Свойства полупроводниковых элементов. Принципы работы активных и пассивных двухполюсников. Схемотехника цифровых устройств.

    учебное пособие, добавлен 02.11.2014

  • Исследование возможностей использования резонансных нерегулярных СВЧ-структур, возбуждаемых на высших типах колебаний, для формирования ионизирующих СВЧ полей в безэлектродных серных лампах. Резонаторная структура с закруглением усеченной части.

    статья, добавлен 19.06.2018

  • Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.

    статья, добавлен 29.07.2017

  • Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.

    курсовая работа, добавлен 11.01.2016

  • Рассмотрение ортогонального субполосного базиса и влияния нелинейности усилителя мощности на уровень внеполосного излучения и искажения символов на приемной стороне после декодирования. Описание метода формирования и обработки канального сигнала.

    статья, добавлен 19.05.2021

  • Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.

    контрольная работа, добавлен 22.03.2011

  • Створення структур типу "кремній на ізоляторі" зі заданими властивостями шару полікремнію та розробка на їх основі мікроелектронних сенсорів для застосування в широкому інтервалі температур, включаючи кріогенні. Дослідження їх характеристик та параметрів.

    автореферат, добавлен 12.07.2014

  • Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).

    лабораторная работа, добавлен 04.12.2017

  • Структура световода и прохождение луча по волокну, характеристика его пропускной способности. Методы передачи и кодирования информации, свойства источников и приемников излучения. Сетевые технологии с оптоволоконной передачей, их достоинства и недостатки.

    курсовая работа, добавлен 17.12.2010

  • Знайомство з вхідними імпедансними характеристиками двобар’єрних структур. Розгляд головних способів встановлення імпедансних умов резонансного проходження для двобар’єрної структури, розміщеної між хвильовими середовищами з різними імпедансами.

    статья, добавлен 29.09.2016

  • Исследование и возможное применение электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне. Значение терагерцового излучения для биомолекулярных исследований, медицины и сферы безопасности. Разработка детекторов прямого и гетеродинного обнаружения.

    контрольная работа, добавлен 03.06.2014

  • Математическая модель сигнала. Эффективность работы амплитудного тракта формирования поляризационного параметра. Помехоустойчивость одноканальных алгоритмов формирования поляризационных параметров. Основные поляризационные свойства флуктуирующих целей.

    статья, добавлен 03.11.2018

  • Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.

    автореферат, добавлен 10.12.2013

  • Характеристика особливостей розвитку методів моделювання мікрострічкових електродинамічних структур, що містять елементи з розподіленими і зосередженими нелінійними елементами. Дослідження основних нелінійних режимів і параметрів таких структур.

    автореферат, добавлен 30.07.2015

  • Описание действия полосовых и узкополосных фильтров заграждения с управляемыми амплитудно-частотными характеристиками и широкополосных малогабаритных согласованных нагрузок как новых типов функциональных брэгговских структур для радиоэлектроники.

    статья, добавлен 02.04.2019

  • Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.

    презентация, добавлен 13.02.2015

  • Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.

    курсовая работа, добавлен 22.02.2015

  • Классификация логических структур систем мониторинга многофункциональных сетей обработки данных по основным признакам и аналогии с нотациями систем массового обслуживания. Матрица парных сравнений второго уровня. Пример реализации систем разных типов.

    статья, добавлен 18.07.2013

  • Загальна класифікація топологічних структур мереж: шинна, радіальна, кільцева, петлева, деревовидна, повнозв’язна. Фізична структура, середовище передачі, компоненти топологій. Адаптери і підсилювачі; способи доступу і управління; область застосування.

    курсовая работа, добавлен 27.06.2015

  • Сенсоры, формирующие парциальное изображение. Параметры рентгенографических, маммографических и рентгеноскопических приемников. Изучение свойств многосенсорных структур, обоснование вариантов их реализации и поиск путей подавления помех в приемниках.

    статья, добавлен 27.02.2016

  • Дослідження структур інтегрованих відомчих мереж зв'язку. Створення нових моделей двофазних систем обслуговування і оптимальної оцінки параметрів сигналів у системах абонентського радіодоступу. Обґрунтування доцільності реалізації запропонованих структур.

    автореферат, добавлен 15.01.2016

Работы в архивах красиво оформлены согласно требованиям ВУЗов и содержат рисунки, диаграммы, формулы и т.д.
PPT, PPTX и PDF-файлы представлены только в архивах.
Рекомендуем скачать работу и оценить ее, кликнув по соответствующей звездочке.