Влияние ионизирующего излучения на свойства скрытых оксидов КНИ-структур
Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
Подобные документы
Физические основы полупроводниковых приборов. Строение полупроводниковых материалов. Понятие дырочной проводимости. Характеристика основных носителей заряда. Причины появления электрического тока в полупроводнике. Влияние примесной электропроводности.
презентация, добавлен 31.10.2020Селенид цинка как один из типичных представителей соединения А2В6, его использование в качестве активной среды лазеров, экранов цветного телевизора, оптических модуляторов света и других оптоэлектронных приборов. Свойства исследуемых гетероструктур.
статья, добавлен 30.12.2016Электрические и физические свойства области расположения элементов интегральных транзисторов и значение изоляции. Характеристика операций технологического процесса производства биполярных полупроводниковых ИМС с диэлектрической изоляцией элементов.
реферат, добавлен 22.02.2009Розроблення конструкції вертикального МОН-транзистора керованого малопотужним сигналом з р-каналом, який дозволяє отримати високу густину упаковки елементів. Оптимізація технологічних методів одержання перемикальних МОН-структур з подвійною дифузією.
автореферат, добавлен 04.03.2014Методы расчета установившихся и переходных процессов в электрических цепях. Применения электротехники в инженерной практике. Свойства полупроводниковых элементов. Принципы работы активных и пассивных двухполюсников. Схемотехника цифровых устройств.
учебное пособие, добавлен 02.11.2014Исследование возможностей использования резонансных нерегулярных СВЧ-структур, возбуждаемых на высших типах колебаний, для формирования ионизирующих СВЧ полей в безэлектродных серных лампах. Резонаторная структура с закруглением усеченной части.
статья, добавлен 19.06.2018Анализ технологических операций при изготовлении тонкопленочных солнечных элементов. Изменение удельной электропроводности кремниевой пленки. Применение лазерного отжига. Выбор оптимальной мощности для получения наилучших электрофизических параметров.
статья, добавлен 29.07.2017Строение и принцип действия резонансно-туннельного диода. Изучение резонансного туннелирования в двухбарьерной структуре. Влияние параметров концепции на вольтамперные характеристики. Расчет коэффициента прохождения в полупроводниковых наноструктурах.
курсовая работа, добавлен 11.01.2016Рассмотрение ортогонального субполосного базиса и влияния нелинейности усилителя мощности на уровень внеполосного излучения и искажения символов на приемной стороне после декодирования. Описание метода формирования и обработки канального сигнала.
статья, добавлен 19.05.2021Характеристика электронно-дырочного перехода, представляющего собой переходный слой между областями полупроводника. Статическая вольт-амперная характеристика полупроводникового диода. Основные параметры варикапа и схема двухполупериодного выпрямителя.
контрольная работа, добавлен 22.03.2011Створення структур типу "кремній на ізоляторі" зі заданими властивостями шару полікремнію та розробка на їх основі мікроелектронних сенсорів для застосування в широкому інтервалі температур, включаючи кріогенні. Дослідження їх характеристик та параметрів.
автореферат, добавлен 12.07.2014Изучение математических моделей полупроводниковых выпрямительных диодов. Исследование вольтамперной характеристики выпрямительного диода в зависимости от температуры. Графоаналитический метод расчета электрической цепи с нелинейными элементами (диодами).
лабораторная работа, добавлен 04.12.2017Структура световода и прохождение луча по волокну, характеристика его пропускной способности. Методы передачи и кодирования информации, свойства источников и приемников излучения. Сетевые технологии с оптоволоконной передачей, их достоинства и недостатки.
курсовая работа, добавлен 17.12.2010Знайомство з вхідними імпедансними характеристиками двобар’єрних структур. Розгляд головних способів встановлення імпедансних умов резонансного проходження для двобар’єрної структури, розміщеної між хвильовими середовищами з різними імпедансами.
статья, добавлен 29.09.2016Исследование и возможное применение электромагнитного излучения в терагерцовом диапазоне. Значение терагерцового излучения для биомолекулярных исследований, медицины и сферы безопасности. Разработка детекторов прямого и гетеродинного обнаружения.
контрольная работа, добавлен 03.06.2014Математическая модель сигнала. Эффективность работы амплитудного тракта формирования поляризационного параметра. Помехоустойчивость одноканальных алгоритмов формирования поляризационных параметров. Основные поляризационные свойства флуктуирующих целей.
статья, добавлен 03.11.2018Влияние внешних, внутренних факторов на метрологические характеристики полупроводниковых измерительных преобразователей с интегрированным чувствительным элементом. Разработка алгоритмических методов уменьшения погрешностей измерительных преобразователей.
автореферат, добавлен 10.12.2013Характеристика особливостей розвитку методів моделювання мікрострічкових електродинамічних структур, що містять елементи з розподіленими і зосередженими нелінійними елементами. Дослідження основних нелінійних режимів і параметрів таких структур.
автореферат, добавлен 30.07.2015Описание действия полосовых и узкополосных фильтров заграждения с управляемыми амплитудно-частотными характеристиками и широкополосных малогабаритных согласованных нагрузок как новых типов функциональных брэгговских структур для радиоэлектроники.
статья, добавлен 02.04.2019- 120. Основы электроники
Исследование параметров и характеристик полупроводниковых приборов с применением интернет-технологий. Принцип действия биполярного и полевого транзисторов. Понятие о классах и режимах усиления. Изучение свойств гетероперехода. Элементы интегральных схем.
презентация, добавлен 13.02.2015 Создание инверсной населенности в полупроводниках. Типы структур переходов. Особенности инжекционных лазеров. Параметры лазерного диода. Многослойные структуры. Искусственные квантовые ящики. Характеристики светодиодов, фотодиодов, фототранзисторов.
курсовая работа, добавлен 22.02.2015Классификация логических структур систем мониторинга многофункциональных сетей обработки данных по основным признакам и аналогии с нотациями систем массового обслуживания. Матрица парных сравнений второго уровня. Пример реализации систем разных типов.
статья, добавлен 18.07.2013- 123. Топологія мереж
Загальна класифікація топологічних структур мереж: шинна, радіальна, кільцева, петлева, деревовидна, повнозв’язна. Фізична структура, середовище передачі, компоненти топологій. Адаптери і підсилювачі; способи доступу і управління; область застосування.
курсовая работа, добавлен 27.06.2015 Сенсоры, формирующие парциальное изображение. Параметры рентгенографических, маммографических и рентгеноскопических приемников. Изучение свойств многосенсорных структур, обоснование вариантов их реализации и поиск путей подавления помех в приемниках.
статья, добавлен 27.02.2016Дослідження структур інтегрованих відомчих мереж зв'язку. Створення нових моделей двофазних систем обслуговування і оптимальної оцінки параметрів сигналів у системах абонентського радіодоступу. Обґрунтування доцільності реалізації запропонованих структур.
автореферат, добавлен 15.01.2016