Влияние ионизирующего излучения на свойства скрытых оксидов КНИ-структур
Процессы формирования радиационно-стойких гетероструктур с требуемым набором структурных и электрофизических параметров, позволяющих расширить область их применения. Исследование влияния облучения на параметры гетеро- и полупроводниковых структур.
Подобные документы
Алгоритмы численного анализа структур, содержащих нерегулярные связанные линии передачи произвольной формы и сосредоточенные корректирующие включения. Методика анализа комбинированных структур во временной области в режиме импульсного воздействия.
автореферат, добавлен 02.09.2018Исследование эффекта униполярного резистивного переключения в оксидах переходных металлов. Создание сэндвич структур на их основе с реализацией эффекта энергонезависимой памяти, оценка работоспособности. Механизм и модель резистивного переключения.
автореферат, добавлен 02.07.2018Увеличение чувствительности метода радиозатмений для обеспечения радиовидения слоистых структур. Распределение электронной концентрации по данным радиопросвечивания. Разделение вкладов атмосферы, шума и обнаружение слоистых структур в ионосфере Венеры.
статья, добавлен 30.10.2018Учёт дрейфовых и диффузионных компонентов выходного тока для горячих носителей в общей выходной проводимости структуры полупроводникового чипа. Выявление амплитудных и частотных особенности компонент этой проводимости, имеющей отрицательное значение.
статья, добавлен 19.01.2018Техника полупроводниковых приборов как самостоятельная область электроники. Выпрямительные диоды малой, средней и большой мощности. Импульсные диоды и полупроводниковые стабилитроны. Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды.
реферат, добавлен 09.04.2009Технологический цикл изготовления структур транзисторов, резисторов и конденсаторов при производстве полупроводниковых интегральных схем. Пример профиля структуры полупроводниковой ИС. Применение ИС вместо дискретных элементов электронных устройств.
презентация, добавлен 23.09.2016Техническая характеристика усилителей мощности гармонических и импульсных сигналов. Схематизация выходного каскада и расчет энергетических параметров четырехполюсника. Параметры подбора транзистора и трансформатора для полупроводниковых приборов.
курсовая работа, добавлен 25.11.2013Диагностика онкологических заболеваний на основе регистрации собственного излучения человека. Создание медицинского диагностического прибора для выявления причин повреждения органов и тканей. Определение локализации здоровых и больных клеточных структур.
статья, добавлен 05.11.2018Анализ частотных свойств шлейфных структур на основе теоремы о каскадном включении реактивных симметричных четырехполюсников. Каскадные структуры с широкополосными короткозамкнутыми шлейфами. Полосы заграждения математической полосы пропускания.
статья, добавлен 30.10.2018Система беспроводной зарядки беспилотных летательных аппаратов (БПЛА). Влияние атмосферы на распространение лазерного излучения. Основные параметры турбулентности для вертикальной траектории. Использование адаптивной оптической системы без обратной связи.
презентация, добавлен 29.10.2019Характеристика микроэлектронных сенсоров, предназначенных для определения температуры подложки интегральных микросхем. Сравнение термосенсоров на основе резистивных, диодных и транзисторных структур. Обзор влияния температуры на параметры полупроводника.
статья, добавлен 02.03.2012Физические процессы, устройство, характеристики, параметры основных полупроводниковых приборов – диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров. Принципы работы, синтеза и методы анализа электронных усилителей. Краткие сведения по микроэлектронике.
учебное пособие, добавлен 27.06.2014Розробка технології створення мікроелектронних сенсорів на основі гетероструктур органічних та неорганічних напівпровідників, чутливих до дії зовнішніх чинників. Вивчення електрооптичних та бар’єрних характеристик гетероструктур та дисперсних композитів.
автореферат, добавлен 10.08.2014Основные параметры и свойства полупроводниковых материалов. Методика определения диодов из экспериментальных вольтамперных характеристик. Устройство и принцип действия биполярного транзистора. Компаратор и триггер Шмитта на операционном усилителе.
курс лекций, добавлен 02.03.2017Основные области эффективного применения источников ионизирующего излучения в радиационной дефектоскопии. Преобразование радиационного изображения контролируемого объекта в радиографический снимок или запись этого изображения на запоминающем устройстве.
статья, добавлен 27.11.2018Основные параметры и характеристики спутниковой радиолинии (СРЛ): перестройка антенны, энергетические параметры СРЛ, места установки антенны, системные параметры приемного оборудования. Влияние помех мешающих ИСЗ на величину помехозащищенности систем.
практическая работа, добавлен 11.12.2010Механізми струмопроходження та електрофізичні властивості бар’єрних структур на основі органічних напівпровідникових матеріалів. Розробка технології тонкоплівкових фотоперетворювачів та сенсорних пристроїв на основі органічних бар’єрних структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Применение полупроводниковых гетероструктур в телекоммуникациях, основанных на лазерах с двойной гетероструктурой, малошумящих транзисторах. Изучение деградации излучающих свойств материалов на основе InGaN с помощью прецизионных измерений потока света.
реферат, добавлен 03.06.2014Контакты с участием полупроводниковых материалов. Средства управления потоками носителей в полупроводниках, применяемые при проектировании и изготовлении диодов и в частности – диодов Шоттки. Эффект поля и поверхностная концентрация электронов и дырок.
курсовая работа, добавлен 08.10.2017Общие вопросы распространения излучения в атмосфере. Поглощение излучения в земной атмосфере. Особенности рассеяния излучения в атмосфере. Флуктуации прозрачности атмосферы и их влияние на работу оптико-электронного прибора. Рефракция оптических лучей.
лекция, добавлен 17.11.2018Явления электронной эмиссии. Физическая природа эффекта Шотки. Физические основы полупроводниковых приборов. Устройство и характеристики полевого и биполярного транзисторов. Методы изоляции транзисторных структур. Классификация запоминающих устройств.
реферат, добавлен 11.05.2017Исследование возможностей идентификации покровов средствами пассивной радиолокации. Обоснование корректного учета влияния нисходящего излучения атмосферы на радиотепловые контрасты покровов с произвольными индикатрисами рассеяния диапазона ММ волн.
автореферат, добавлен 02.09.2018Возможность выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии структур с квантовыми ямами с двумя активными областями, каждая из которых обладает чувствительностью в области спектра. Анализ приемников, осуществляющих прием сигналов в спектральных областях.
статья, добавлен 26.01.2017Рассмотрение способов теоретического исследования транспортных свойств двухмерных систем. Особенности переноса заряда в низкоразмерной полупроводниковой структуре с учетом немарковских эффектов. Анализ теории квантоворазмерных полупроводниковых структур.
статья, добавлен 19.06.2018Маршруты формирования пленок на поверхности сапфира для газочувствительных датчиков с использованием лазерного излучения длиной волны 1064 нм. Экспериментальная оценка применения лазерного излучения для получения тонких пленок на поверхности подложки.
статья, добавлен 29.07.2017