Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв'язані з ним ефекти
Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
Подобные документы
Розрахунок пропускання світла у напівпровідник в залежності від параметрів поверхневої провідної плівки і статистичних характеристик шорсткостей поверхні. Вплив різних хімічних обробок на оптичні і електронні властивості поверхнево-бар'єрної структури.
автореферат, добавлен 28.09.2015Дослідження оптичних, магнітних та кінетичних властивостей кристалів напівпровідникових твердих розчинів (3HgSe)1-x(Al2Se3)x, легованих марганцем і залізом. Побудова схеми зонної структури напівпровідника. Властивості термообробки твердих розчинів.
автореферат, добавлен 19.07.2015Загальна характеристика явища гігантського магнітного опору (ГМО). Експериментальні дослідження ефекту ГМО в багатошарових плівкових структурах. Явище ГМО в гранульованих сплавах. Теоретичні моделі ГМО. Структурно-фазовий стан плівкових систем з ГМО.
статья, добавлен 31.10.2010Методи вимірювання опору металу під час нагрівання зразка в заданому діапазоні температури, визначення температурного коефіцієнту опору. Схема електричного кола для з'єднання електропечі, термометра, цифрового вольтметра, амперметра, блоку живлення.
лабораторная работа, добавлен 27.05.2016Вивчення питань створення ефективних плівкових і кристалічних люмінесцентних матеріалів на основі оксидів, нітридів і галогенідів шляхом дослідження в них механізмів рекомбінації за участю складних дефектів, а також процесів стабільності люмінофорів.
автореферат, добавлен 27.04.2014Властивості, структура та застосування діодів Шотткі. Формування контакту метал/напівпровідник. Вакуумні, хімічні і електрохімічні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Розрахунок залежності вольт-амперної характеристики ідеального діода.
курсовая работа, добавлен 29.11.2017Вплив домішкового кисню на браковону структуру. Фізичні властивості напівпровідникових з’єднань. Типи заміщення атомів сірки. Дія точкових дефектів на оптичні властивості гетеросистем. Радіаційна стійкість твердих розчинів методом іонолюмінесценції.
автореферат, добавлен 28.07.2014Актуальність потреби у складних напівпровідникових системах. Переваги вузькощілинних напівмагнітних напівпровідників. Ефективність цих напівпровідників для практичного використання як матеріалів для фотоприймачів спектрального діапазону 0.9-1.5 мкм.
автореферат, добавлен 12.02.2014Акустична емісія в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні електроструму. Акустичний відгук в монокристалах при дії на їх поверхню наносекундного лазерного випромінювання. Динаміка дефектоутворення напівпровідникових структур.
автореферат, добавлен 26.09.2015Ознайомлення з методами визначення концентрації вільних носіїв струму в напівпровідниках та встановлення їх природи. Вимірювання холлівського струму для різних значень струму через напівпровідник. Розрахунок питомої електропровідності напівпровідника.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Дослідження впливу метастабільних центрів в розчинах AlxGa1-xAs на явища переносу та резонансних рівнів домішкових станів у безщілинних напівпровідниках, зумовлюючих електронну кореляцію. Залишкова фотопровідність вище розташованих домішкових станів.
автореферат, добавлен 22.07.2014Дослідження закономірностей температурної залежності електропровідності напівпровідників. Визначення ширини забороненої зони та деяких параметрів напівпровідників. Аналіз залежності опору термістора від температури. Практичні застосування термісторів.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Обґрунтування актуальності досліджень напівпровідників в умовах сучасного розвитку фізики твердого тіла. Спектр можливостей, наданих кількісною теорією кінетичних ефектів для розуміння явища переносу в анізотропних діодах електропровідних речовин.
автореферат, добавлен 31.01.2014Фізичні властивості низькорозмірних напівпровідникових гетероструктур. Дослідження морфологічного переходу від двомірного псевдоморфного росту до трьохмірного в InxGa1-xAs/GaAs наноструктурах. Комбінаційне розсіювання світла в InAs/Al(Ga)Sb структурах.
автореферат, добавлен 30.10.2015Побудова теорії взаємодії екситонів з домішками, флуктуаціями та неоднорідностями їх розподілу в низьковимірних структурах на основі напівмагнітних напівпровідників. Механізми парамагнітного підсилення гігантського спінового розщеплення екситонних рівнів.
автореферат, добавлен 25.02.2014Власна та домішкова провідність напівпровідників. Зростання електропровідності напівпровідника з ростом температури. Використання ефекту Холла. Енергетичні зони в кристалах, їх розщеплення. Обгрунтування позитивних та негативних сторін фотоопорів.
методичка, добавлен 16.07.2017Вирішення наукової проблеми "Індуковані високоенергетичні ефекти опромінення у фосфідних і халькогенідних напівпровідниках". Встановлення закономірностей впливу ефектів розупорядкування на оптичні властивості кристалів, а також вивчення фізичних процесів.
автореферат, добавлен 27.07.2014Аналіз особливостей дефектоутворення в базових областях інфрачервоних пристроїв під дією іонізуючого випромінювання. Дослідження характеру протікання фотоелектричних процесів у реальних базових кристалах вузькощілинних напівпровідників із дефектами.
автореферат, добавлен 25.04.2014Рівняння сімейства вольтамперних характеристик фотодіода. Перехід освітлений паралельно та перпендикулярно. Аналіз залежності вольтамперних характеристик фотодіода від фізичних параметрів напівпровідника. Порядок розрахунку та специфіка розв’язку задач.
курсовая работа, добавлен 08.09.2014- 45. Елекрооптичні ефекти в структурах МДН - рідкий кристал, зумовлені перенесенням і накопиченням заряду
Взаємозв’язок процесів переносу і накопичення зарядів в структурах МДН-рідкий кристал з характеристиками електрооптичних ефектів, а також умови виникнення і релаксації нестійкостей орієнтованих нематиків в області пор діелектрика структур М-РК-Д-Н.
автореферат, добавлен 12.02.2014 Явища переносу в напівпровідниках. Кінетичне рівняння Больцмана. Температурна залежність рухливості носіїв. Ефект Холла в напівпровідниках. Електропровідність в сильних електричних полях. Взаємодія світла з речовиною. Оптичні характеристики кристалів.
методичка, добавлен 26.08.2013Оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури металу-напівпровіднику з проміжним шаром різної фізико-хімічної природи, їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури. Вивчення деградації напівпрозорих металевих плівок.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження спонтанної генерації доменів електричного поля. Аналіз фізичних механізмів бістабільності в нормальних металах і гетеро-структурах нормальний метал-надпровідних. Теорія доменної і автоколивальної електричних несталостей в нормальних металах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Розробка методів розрахунку термодинамічних і спектральних характеристик металів. Дослідження спінової поляризації в гібридизованій електронній структурі парамагнітних і антиферомагнітних систем. Виявлення ролі ефектів тиску в магнітних властивостях.
автореферат, добавлен 14.09.2014Розробка теорії варизонних напівпровідникових приладів з гетеропереходом. Вивчення ефектів міждолинного переносу і резонансного тунелювання електронів. Визначення параметрів енергетичного зазору між долинами. Підвищення граничної частоти генерації.
автореферат, добавлен 27.08.2015