Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв'язані з ним ефекти
Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
Подобные документы
Вивчення основних підходів до визначення параметрів глибоких рівнів у напівпровідниках та приладах на їх основі. Розробка автоматизованого релаксаційного спектрометра глибоких рівнів, орієнтованого на дослідження сучасних напівпровідникових приладів.
автореферат, добавлен 21.11.2013Дослідження властивостей двовимірних структур на основі напівмагнітних напівпровідників. Ефекти нерезонансного тунелювання в подвійних квантових ямах з напівмагнітним бар'єром. Урахування впливу інтерфейсу на енергії носіїв струму в квантових структурах.
автореферат, добавлен 07.03.2014Характеристики діодів з міждолинним переносом електронів при введенні в матеріал глибоких нейтральних центрів захоплення електронів. Особливості виникнення та існування високочастотних нестійкостей струму при повній, частковій компенсації напівпровідника.
автореферат, добавлен 30.08.2014Опис методу обчислення конфігурації ближнього поля поверхні напівпровідника з неоднорідним розподілом носіїв заряду під нею. Створення методик обраховування параметрів поверхні - коефіцієнта дифузії, часу релаксації, швидкості поверхневої рекомбінації.
автореферат, добавлен 26.09.2015Дослідження властивостей повільних поверхневих власних хвиль структури, утвореної однорідним плазмоподібним напівпростором та шарувато-періодичним середовищем (шарами напівпровідника та діелектрика). Взаємодія власних та кінетичних хвиль у напівпросторі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Закономірності адсорбоелектричних ефектів при адсорбції водню і води в багатошарових кремнієвих структурах з композитними CuxPd шарами та мікроструктурованими процесами старіння Pd плівками. Параметри адсорбційних центрів на межі поділу метал/діелектрик.
автореферат, добавлен 11.10.2011Розробка методики вимірювань параметрів напівпровідникових кристалів кремнію в умовах контрольованого ультразвукового навантаження. Дослідження температурної залежності поперечної акустоелектричної напруги в шаруватій системі п’єзоелектрик-напівпровідник.
автореферат, добавлен 23.02.2014Дослідження впливу зарядових і розмірних ефектів на енергетичні і транспортні характеристики низькорозмірних металевих структур. Принципи виникнення аномальної електрострикції. Модифікація теорії одноелектронного тунелювання крізь металеві квантові точки.
автореферат, добавлен 25.02.2015Розгляд групи ефектів збільшення інтенсивності оптичних процесів поблизу шорсткої поверхні або металів. Властивості електромагнітних хвиль і локальних коливань. Аналіз біоорганічних молекул у агрегатному стані. Механізми підсилення в ефекті "SEIRA".
автореферат, добавлен 10.09.2014Ознайомлення з одним із методів визначення ширини забороненої зони в напівпровідниках. Використання установки для вивчення температурної залежності електропровідності. Вимірювання опору напівпровідника мультиметром. Обробка експериментальних даних.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Специфіка моделювання та експериментальна апробація дії імпульсного лазерного опромінювання на контактах метал-халькогенідного напівпровідника. Створення ефективних детекторів електромагнітного випромінювання з покращеними експлуатаційними параметрами.
автореферат, добавлен 26.02.2015Дослідження ефектів, що виникають в напівпровідникових структурах при протіканні струмів екстремальна великої густини. Характеристика дослідження механічного руйнування через невідповідність коефіцієнтів теплового розширення плівки і підкладинків.
автореферат, добавлен 12.02.2014Використання узагальненого диференціального рівняння кривої вільної поверхні білякритичних течій. Склеювання розв’язків усамітненої та кноїдальних хвиль для описання гідравлічного стрибка. Співставлення теоретичних профілів з експериментальними даними.
статья, добавлен 24.06.2016Закономірності впливу компенсації на електричні оптичні та спектрометричні характеристики ряду бінарних і атомарних напівпровідників. Дослідження сильнолегованих і компенсованих власними дефектами монокристалів CdTe як модель аморфного напівпровідника.
автореферат, добавлен 26.08.2014Дослідження термодинаміки псевдоспін-електронної моделі з тунелюванням. Розрахунок сприйнятливості в надпровідному каналі та встановлення умов виникнення нестійкості щодо переходу в надпровідний стан. Вивчення впливу тунелювання на фазові переходи.
автореферат, добавлен 02.08.2014Розробка нових квантових моделей розрахунку і аналізу енергетичних та статистичних характеристик динаміки багатофотонної іонізації атомних систем. Комп’ютерне моделювання низки стохастичних, дифузійних і стабілізаційних ефектів в атомних системах.
автореферат, добавлен 28.07.2014З’ясування закономірностей впливу дефектів технологічного та радіаційного походження на явища переносу у монокристалах германію і кремнію. Різноманітні фізико-активні впливи і наявності неоднорідного розподілу легуючої домішки в об’ємі напівпровідника.
автореферат, добавлен 23.08.2014Вивчення електронних, адсорбційних властивостей напівпровідникових матеріалів з кластерними структурами, які можуть бути отримані при легуванні поверхні, іонній імплантації атомами важких металів, а також при анодному травленні кристалічного кремнію.
автореферат, добавлен 05.01.2014З’ясування причин анізотропії віддзеркалення електронів проводимості від реальної поверхні вольфраму з орієнтацією. Розробка методів літографічної модифікації поверхні Si у надвисокому вакуумі. Методика отримання надгострих вольфрамових вістрів.
автореферат, добавлен 18.11.2013Розробка експрес методу контролю стану поверхні твердих тiл. Його практичне використання в умовах заводських та науково-дослідних лабораторій для виявлення точних властивостей та стану поверхні матеріалів (металів, напівпровідників, композитних структур).
автореферат, добавлен 28.06.2014Дослідження кінетики електричних характеристик p-n переходів в атмосфері при різних температурах. Зміни фотоелектричних властивостей структур при адсорбційних процесах, вплив парів аміаку на макрофізичні характеристики оксидного шару напівпровідника.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розробка моделі сенсору теплового випромінювання на основі структури метал-піроелектрик-напівпровідник з від’ємним опором. Статична метрологічна характеристика, залежність функції перетворення від температури, зміна вихідної напруги пристрою з часом.
статья, добавлен 28.02.2017Створення автоматизованого скануючого суміщеного фототермоакустичного та фотоелектричного мікроскопа для дослідження напівпровідникових структур. З'ясування фізичної природи візуалізації тепловими хвилями властивостей напівпровідника на основі кремнію.
автореферат, добавлен 22.06.2014Дослідження змін рекомбінаційних процесів у бінарних сполуках сульфіду кадмію при варіюванні параметрів надвисокочастотного опромінювання. Вплив слабких магнітних полів на випромінювальну рекомбінацію в напівпровідниках з різною морфологією поверхні.
автореферат, добавлен 29.09.2014Дослідження особливостей дисперсії низькочастотних поверхневих хвиль з незвичайною поляризацією на другій гармоніці іонної циклотронної частоти у поперечно неоднорідних структурах метал — діелектрик — плазма з урахуванням скінченних поперечних розмірів.
автореферат, добавлен 24.02.2014