Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв'язані з ним ефекти
Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
Подобные документы
Процеси взаємодії гамма-квантів і нейтронів з шаруватими структурами, які призводять до нелінійного електричного відклику системи. Формування профілів розподілу домішок, що дифундують в напівпровідникових структурах. Утворення шару метал-діелектрик.
автореферат, добавлен 29.09.2014Розробка нових акусто-оптичних методик дослідження об’ємних монокристалів та сучасних низькорозмірних структур - напівпровідникових гетеропереходів, квантових ям та мікрокристалітів. Спостереження нових порогових акусто-оптичних ефектів у твердих тілах.
автореферат, добавлен 23.11.2013Встановлення закономірностей впливу діелектричного покриття на енергетичні характеристики поверхні металу. Визначення залежності температури електронної підсистеми кластерів різної форми від кількості атомів в них і потужності, що передається електронам.
автореферат, добавлен 29.07.2015Розвиток квантово-механічної моделі a-розпаду важких ядер з гальмівним випромінюванням. Розробка методів часового аналізу поведінки частинки в двоямному потенціальному полі з бар'єром. Динаміка одновимірних і сферично-симетричних процесів тунелювання.
автореферат, добавлен 13.07.2014Дослідження акустичної емісії в напівпровідникових світловипромінюючих структурах при протіканні постійного електричного струму та акустичного відгуку в монокристалах GaAs та CdTe при дії на їх поверхню наносекундного імпульсного лазерного випромінювання.
автореферат, добавлен 26.07.2014Вивчення квантових ефектів в плівках телуриду свинцю і вісмуту, гетероструктурах PbTe/Bi, електрофізичних, гальваномагнітних та термоелектричних властивостей в залежності від товщини шарів методом термічного випаровування в вакуумі на підкладки з слюди.
автореферат, добавлен 27.09.2014Програма розрахунку кінетичних коефіцієнтів напівпровідників. Енергетичне положення міжвузлового типу дефектів у забороненій зоні кремнію. Параметри кластерів дефектів, утворених нейтронами, протонами, 50 МеВ електронами в бінарних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 28.08.2015Напівпровідники, пов’язані із створенням DX-подібних центрів при легуванні кристалів домішками із змінною валентністю. Розробка технології одержання та дослідження фізичних властивостей багатокомпонентних твердих розчинів на основі телуриду свинцю.
автореферат, добавлен 24.02.2014Закономірності впливу всебічного стиснення, електричних полів та катіон-аніонного заміщення на температурну поведінку фізичних властивостей сегнетоелектриків-напівпровідників системи Sn(Pb)2P2S(Se)6. Кристали із неспівмірно-модульованими фазами.
автореферат, добавлен 22.07.2014- 60. Комп’ютеризований комплекс дослідження фільтруючих ланок для споживачів з нелінійним навантаженням
Впровадження напівпровідникових пристроїв управління, які покращують роботу технологічних об’єктів, викликаючи при цьому негативні електромагнітні явища. Підключення силових напівпровідникових пристроїв за допомогою комутаційних фільтруючих елементів.
статья, добавлен 21.06.2016 Методи створення відтворюваних поверхнево-бар’єрних структур метал/p-CuInSe2 (метал – Іn, Sn та Zn), визначення та інтерпретація механізмів проходження струму. Проведення зіставлення експериментальних результатів з відомими теоретичними виразами.
автореферат, добавлен 29.08.2014Створення масиву наночастинок Au на напівпровідникових плівках CdS термічним відпалюванням у вакуумі плівок золота товщиною 6 нм. Дослідження морфології поверхні плівок CdS, покритих масивом наночастинок золота, визначення середніх розмірів наночастинок.
статья, добавлен 13.10.2016Характеристика параметрів реактивного опору лінії електропередач. Визначення зв'язку повного струму із густиною стороннього струму. Розрахунок індуктивного та реактивного опору. Розробка математичної моделі для визначення індуктивного опору мережі.
статья, добавлен 26.07.2016- 64. Гідростатика
Вивчення властивостей гідростатичного тиску. Вираження залежності тиску в точці рідини в стані спокою від виду рідини і відстані точки від вільної поверхні. Визначення сили тиску рідини на плоску стінку. Сила тиску рідини на криволінійні поверхні.
лекция, добавлен 17.05.2015 Теорія оптичних констант. Дослідження поверхневих поляритонів в напівпровідниках та діелектриках. Метод порушеного повного відбивання. Поверхневі поляритони в системі ZnO на сапфірі. Дослідження структури окису цинку на сапфірі методами ІЧ спектроскопії.
курсовая работа, добавлен 09.05.2020Встановлення основних закономірностей формування зонної структури, побудови законів дисперсії та дослідження їхніх змін внаслідок впливу зовнішніх чинників в складних низькосиметричних кристалах. Характеристика особливостей міжчастинкових взаємодій.
автореферат, добавлен 30.07.2015Дослідження впливу співвідношення компонентів у системі на тип фізико-хімічних процесів модифікації складу приповерневих шарів напівпровідника. Аналіз дифузії компонентів та визначення змін у складі газової фази при збільшенні вмісту атомарного водню.
автореферат, добавлен 31.01.2014Аналіз температурного впливу на питомий опір напівпровідників, вивчення їх зонної характеристики. Сутність електронної та діркової провідності. Сила прямого та зворотного струму. Використання напівпровідникових приладів. Вплив домішок на структуру.
реферат, добавлен 20.12.2010Генерація пружних хвиль імпульсними пучками проникаючих випромінювань та радіаційною деформацією твердого тіла. Термоакустичні ефекти пучків частинок у твердому тілі. Акустичні ефекти низькоенергетичних іонів і пучків випромінювань в планарних структурах.
автореферат, добавлен 30.07.2015З’ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологості, водними розчинами з різними рівнями кислотності. Чутливість інтенсивності фотолюмінесценції до спіральних структур полінуклеотидів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Методика вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Залежність опору металів від температури. Вимірювання плечей реохорда в одиницях шкали реохорда. Вимірювання загального опору резисторів і досліджуваної котушки при кімнатній температурі.
лабораторная работа, добавлен 16.07.2017Розгляд класифікації інтегральних мікросхем та системи позначень. Визначення типу електропровідності кристалів і пластин. Вимірювання поверхневого і питомого опору шарів напівпровідника, статичних параметрів ІМС. Дослідження параметрів логічних мікросхем.
методичка, добавлен 17.11.2022Представлення результатів дослідження фізичних процесів, що визначають електричні, оптичні і фотоелектричні характеристики тонкоплівкових діодних структур на основі телуриду кадмію. Дослідження механізмів переносу заряду в тонкоплівкових діодах Шотткі.
автореферат, добавлен 02.08.2014Встановлення та пояснення оптичних властивостей пористого кремнезему. Побудова моделей адсорбційних центрів на поверхні пор. Вивчення тонких металевих плівок, осаджених на поверхню кремнезему лазерним методом. Оптичні параметри осадженої плівки.
автореферат, добавлен 27.02.2014Властивості діодів Шотткі, їх структура. Властивості і методи вимірювання контактів метал/напівпровідник. Вольтамперна характеристика ідеального контакту. Вакуумні методи осадження металів на поверхню напівпровідників. Фізичні принципи осадження шарів.
курсовая работа, добавлен 13.02.2016