Резонансне тунелювання за участю глибоких центрів в напівпровідникових структурах та зв'язані з ним ефекти
Дослідження результатів розрахунку імовірності тунельної іонізації глибокого домішкового центра поблизу вільної поверхні напівпровідника. Вивчення основних можливостей виникнення явища негативного диференціального опору в контакті метал-напівпровідник.
Подобные документы
Фізико-технологічні дослідження напівпровідникових матеріалів та систем інфрачервоної мікрофотоелектроніки. Розробка фізичних основ створення інфрачервоних фоточутливих наноструктур основі вузькощілиннх напівпровідників, їх значення та обґрунтування.
автореферат, добавлен 29.08.2014Розвиток експериментальних методик одержання і дослідження кристалічного порошку та ванадієво-фосфатних стекол. Побудова фазової діаграми системи V2O5-P2O5. Дослідження мікроструктури та фазового складу кераміки. Впливу добавок металів та оксидів.
автореферат, добавлен 24.07.2014Напівпровідникові прилади як різноманітні за конструкцією, технології виготовлення і призначенню електронні прилади, засновані на використанні властивостей напівпровідників. Залежність електропровідності напівпровідника від різних зовнішніх впливів.
реферат, добавлен 19.12.2021З'ясування процесів, що відбуваються на поверхні нанопористого кремнію при його контакті з повітрям різної вологісті, водними розчинами з різними рН та розчинами біомолекул. Розгляд механізму впливу полінуклеотидів на фотолюмінесценцію пористого кремнію.
автореферат, добавлен 25.02.2015Цикл робіт Варкуша і Дімміха. Основні положення напівкласичної моделі для термічного коефіцієнту опору двошарових плівок. Схема розсіювання і міжшарових переходів електронів. Якісна залежність ТКО від товщини одношарової плівки при двох температурах.
статья, добавлен 23.10.2010Електричні властивості монокристалів, які використовуються для виготовлення інфрачервоних детекторів, інтерпретуються в рамках моделі вузькозонного напівпровідника, а оптичні властивості по теорії Кейна із сильно непараболічними енергетичними зонами.
автореферат, добавлен 24.02.2014Технологічні основи одержання керамічних галогеновмісних високотемпературних надпровідників і гібридних контактних структур типу "ВТНП-киснево-вмісний напівпровідник". Комплексні дослідження фізичних властивостей, розробка гібридних контактних структур.
автореферат, добавлен 15.11.2013Функціональний розклад енергії зарядженого металевого кластера довільної форми. Умови його застосування для обчислень квантових систем. Закономірності впливу розмірів і геометрії металевих наносистем на рівноважні зарядові ефекти в таких системах.
автореферат, добавлен 28.09.2015- 84. Оптична спінова поляризація електронів у напівмагнітних напівпровідниках при домішковому поглинанні
Вплив типу і параметрів циркулярно-поляризованої падаючої світлової хвилі, що задовольняє умовам процесів довготривалої релаксації, домішкового поглинання, величині напруженості електричного поля, на спінову поляризацію в напівмагнітних напівпровідниках.
автореферат, добавлен 29.08.2015 Застосування напівпровідникових приладів. Фізичні основи обчислювальної техніки, інтегральні мікросхеми. Дослідження роботи базових логічних елементів: RS-тригера, генератора прямокутних імпульсів (мультивібратора). Ефективність використання обладнання.
лабораторная работа, добавлен 08.04.2019Експериментальне визначення впливу розупорядкування кристалічної ґратки на характеристичнi часи електрон-фононної взаємодії. Дослiдження провiдних, гальваномагнiтних властивостей плiвок золота при значному розупорядкуваннi аж до переходу метал-iзолятор.
автореферат, добавлен 25.04.2014Теорія електронного та екситонного спектра у надгратці циліндричних напівпровідникових квантових точок. Теорія активної провідності та її залежність від геометричних параметрів циліндричної напівпровідникової двобар’єрної резонансно-тунельної структури.
автореферат, добавлен 27.07.2015Особливості вимірювання опорів провідників з допомогою місткових схем. Вивчення залежності опору металів від температури. Вимірювання опору досліджуваної котушки при кімнатній температурі. Вплив швидкості нагріву на точність побудованої залежності.
лабораторная работа, добавлен 13.07.2017Термодинамічний аналіз термічного і фототермічного окислення сполук АIIBVI. Вивчення фізичних властивостей оксидних шарів. Дослідження оптичних, механічних та електрооптичних властивостей монокристалів. Обґрунтування напрямків фазового синхронізму.
автореферат, добавлен 22.06.2014Створення твердотільних структур метал-напівпровідник-метал на основі напівпровідникової сполуки CdZnTe з контактами різного типу. Вибір оптимальної структури та методів її модифікації для ефективної реєстрації випромінювання в широкому діапазоні енергій.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження можливостей застосування метало-тритієвих структур в поєднанні з каналовими електронними помножувачами та мікроканальними пластинами в джерелах початкової іонізації НВЧ-розрядників РЛС міліметрового та субміліметрового діапазону хвиль.
автореферат, добавлен 27.09.2014Вивчення закономірностей електрофізичних та адсорбційних явищ, в кристалічних діелектриках і шаруватих структурах, виникаючих в них при поширенні поверхневих акустичних хвиль. Розробка фізичних методів керування характеристиками електричних пристроїв.
автореферат, добавлен 07.03.2014Дослідження перебудови домішково-дефектних станів у сполуках під дією високочастотного електромагнітного випромінювання. Вивчення модифікації структури напівпровідників. Вплив випромінювання на спектр дефектних станів напівпровідникових кристалів.
автореферат, добавлен 29.09.2015Дослідження релаксації фотофізичних властивостей в плівках аморфних органічних напівпровідникових полімерів. Встановлення спектроскопії інфрачервоного поглинання, змін коливної структури аморфних молекулярних напівпровідників та допуючих їх фулеренів С60.
автореферат, добавлен 29.08.2015Розробка способів створення тонких рідких прошарків і методики контролю їх товщини. Умови формування приповерхневих структурованих шарів в надтонких прошарках немезогенів. Вплив мікроструктури поверхні підкладки на параметри епітропної фази немезогенів.
автореферат, добавлен 30.07.2015Вивчення специфіки розтікання збуджених електронів від локального джерела нерівноважності, розташованого на поверхні вісмутового кристала. Дослідження явища дифракції електронного потоку, що втікає в кристал вісмуту крізь мікроконтакт малого розміру.
автореферат, добавлен 27.07.2014Розгляд історії відкриття капілярного явища. Вивчення основних ідей теорії Юнга і Лапласа (принцип поверхневого натягу). Застосування універсального апарата термодинаміки Гіббсом для пояснення властивостей рідини. Ознайомлення із явищами змочування.
реферат, добавлен 09.04.2010Дослідження магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb з концентрацією домішки поблизу переходу метал-діелектрик при низьких температурах в полях з індукцією до 14 Тл. Наявність осциляцій Шубнікова-де-Гааза в поперечному і в поздовжньому магнітоопорі.
статья, добавлен 29.09.2016Вивчення фізичних властивостей домішкових та дефектних центрів у синтетичних кристалах. Дослідження донорів азоту, закономірностей температурної та концентраційної поведінки карбіду кремнію. Вивчення стрибкового механізму делокалізації електронів.
автореферат, добавлен 30.07.2014Дослідження впливу бомбардування високоенергетичними частинками (іонами, протонами, нейтронами) на механічні і електричні властивості напівпровідників та приладних шаруватих структур на їх основі. Радіаційні пошкодження та мікропластичність кремнію.
автореферат, добавлен 28.08.2014